[发明专利]可控硅检测仪及可控硅性能检测方法

权利要求书

1.一种可控硅检测仪，其特征在于，包括：一个电源模块(100)、一个相位角选择模块(200)、一个触发信号生成模块(300)和一个信号检测模块(400)；

所述电源模块(100)用于输出交流电压信号；

所述相位角选择模块(200)用于根据人员设置的触发相位角，对所述交流电压信号进行缺失处理，以使所述交流电压信号对应的正弦波形产生缺失，且缺失部分对应的相位角与所述触发相位角相同；

所述触发信号生成模块(300)用于将缺失处理后的所述交流电压信号转换为对应的方波触发信号，并将所述方波触发信号加载到待测可控硅(500)的控制极上；

所述述电源模块(100)还用于为所述待测可控硅(500)的正负极施加所述交流电压信号，所述信号检测模块(400)用于对所述待测可控硅(500)的正负极和所述电源模块(100)所形成回路中的电路信号进行检测。

2.根据权利要求1所述的可控硅检测仪，其特征在于，所述信号检测模包括一个电阻模块(410)和一个示波器(420)，其中：

所述电阻模块(410)的一端与所述电源模块(100)的一个输出端连接，所述电阻模块(410)的另一端和所述电源模块(100)的另一个输出端用于连接所述待测可控硅(500)的正负极；

所述示波器(420)与所述电阻模块(410)的两端连接，所述示波器(420)用于获取并展示所述电阻模块(410)上的电压变化。

3.根据权利要求1所述的可控硅检测仪，其特征在于，所述触发信号生成模块(300)包括一个施密特触发器(310)，所述施密特触发器(310)用于将缺失处理后的所述交流电压信号转换为对应的方波触发信号。

4.根据权利要求3所述的可控硅检测仪，其特征在于，所述触发信号生成模块(300)还包括一个增益驱动模块(320)，所述增益驱动模块(320)用于将所述施密特触发器(310)产生的方波触发信号进行增益处理，得到增益后的方波触发信号，并将增益后的方波触发信号加载到所述控制极上。

5.根据权利要求2所述的可控硅检测仪，其特征在于，所述电源模块(100)包括一个变压器(120)，所述变压器(120)用于将输入的交流高压信号进行降压处理，将得到的交流低压信号输入至所述相位角选择模块(200)、所述电阻模块(410)和所述待测可控硅(500)。

6.根据权利要求5所述的可控硅检测仪，其特征在于，所述电源模块(100)还包括一个转换模块(110)，用于将输入的交流高压信号转换为直流电压信号，将所述直流电压信号输入至所述示波器(420)和所述触发信号生成模块(300)进行供电。

7.根据权利要求6所述的可控硅检测仪，其特征在于，所述电源模块(100)还包括一个保险模块(130)，所述保险模块(130)设置在所述转换模块(110)的输入端之前以及所述变压器(120)的输入端之前。

8.一种可控硅性能检测方法，其特征在于，所述方法基于权利要求1～7所述的可控硅检测仪实现，所述方法包括：

若所述信号检测模块(400)检测到的电路信号在每个周期内为正方向的半个正弦波，且所述半个正弦波存在缺失部分，则确定所述缺失部分对应的相位角；

判断所述相位角与所述相位角选择模块(200)上设置的触发相位角是否相同，若相同，则所述待测可控硅(500)的性能正常。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述相位角与所述相位角选择模块(200)上设置的触发相位角不相同，则所述待测可控硅(500)存在误触发的性能问题。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述信号检测模块(400)检测到的电路信号为0，则所述待测可控硅(500)存在不触发的性能问题。