[发明专利]适应PLA基材低温裱磁的热转移型磁条制备方法及应用

权利要求书

1.适应PLA基材低温裱磁的热转移型磁条制备方法，所述磁条能够适应130℃以下的PLA薄膜低温裱磁工艺，其特征为：

步骤1：在带基上通过涂布方式涂布剥离层、装饰层；

步骤2：在所述剥离层、装饰层上涂布磁层；

步骤3：在磁层上涂布粘贴层，干燥、分切，得到适应PLA基材低温裱磁的热转移型磁条；

所述粘贴层采用如下配方制备：

低Tg值热塑性丙烯酸树脂 10~20份

低结晶度共聚酯 50~80份

二氧化硅或高分子蜡 5~20份

硅烷偶联剂 5~10份

甲苯 100~160份

丁酮 150~240份；

所述低Tg值热塑性丙烯酸树脂具有20℃~50℃Tg值；低结晶度共聚酯具有-20℃~0℃Tg、70℃~100℃的熔点，同时两者经过125℃热辊加热，0.05~0.1秒即可熔化，并对PLA基材实现牢固粘贴；所述二氧化硅采用嬴创，R972；所述高分子蜡采用天诗，Twax-1623;

低Tg值热塑性丙烯酸树脂和低结晶度共聚酯重量份数之和与二氧化硅或高分子蜡重量份数之比为4-7。

2.根据权利要求1所述的适应PLA基材低温裱磁的热转移型磁条制备方法，其特征为：所述涂布方式为棒涂、凹版涂布、挤压涂布、反转辊涂布。

3.一种热转移型磁条，其特征为：采用权利要求1-2任一所述的适应PLA基材低温裱磁的热转移型磁条制备方法制备。

4.一种智能卡行业用PLA基材，其特征为：包含权利要求3所述的热转移型磁条。