[发明专利]超晶格超大规模集成电路有效
| 申请号： | 202111131216.8 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113871458B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 林和 | 申请（专利权）人： | 林和 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/86;H01L29/732;H01L29/735;H01L29/78;H01L29/8605;H01L29/93;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 北京市海淀区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶格 超大规模集成电路 | ||
1.一种超晶格超大规模集成电路，其特征在于，包括：
衬底；
过渡层，设置在所述衬底上方；
元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为包含二维电子气与二维空穴气的器件所构建的超晶格集成电路；
所述器件包括：超晶格电感与变感器；
从截面的视角出发，所述超晶格电感与变感器包括：
第九超晶格本征层，设置于所述过渡层上方；
第四超晶格P型层，设置在所述第九超晶格本征层上方；
第十超晶格本征层，设置在所述第四超晶格P型层的上方；
第三超晶格低阻N型层，设置在所述第十超晶格本征层上方；
第六P+导电层和第六N+导电层从所述第三超晶格低阻N型层的上表面并向垂直于所述第三超晶格低阻N型层的方向向下贯穿至所述第九超晶格本征层的下表面；
第九沟道绝缘层，从所述第三超晶格低阻N型层的上表面并向垂直于所述第三超晶格低阻N型层的方向向下贯穿至所述第九超晶格本征层的下表面，所述第六P+导电层和第六N+导电层设置在所述第九沟道绝缘层内；
一个第二十三欧姆接触层、一个第二十四欧姆接触层和一个第二十五欧姆接触层为一组，共有两组；
所述第二十三欧姆接触层，设置在所述第三超晶格低阻N型层上方并与所述第三超晶格低阻N型层接触；
所述第二十四欧姆接触层，设置在所述第六N+导电层上方并与所述第六N+导电层接触；
所述第二十五欧姆接触层，设置在所述第六P+导电层上方并与所述第六P+导电层接触；
第二十一介电保护层，设置在所述第二十三欧姆接触层和第二十四欧姆接触层、第二十三欧姆接触层和第二十四欧姆接触层之间；
第二十二介电保护层，设置所述第二十四欧姆接触层、第二十五欧姆接触层外侧；
从俯视且透视的视角出发，第九沟道绝缘层为留有S型空缺的环形；在S型空缺的两端分别设置一组第二十三欧姆接触层、第二十四欧姆接触层和第二十五欧姆接触层。
2.如权利要求1所述的超晶格超大规模集成电路，其特征在于，所述衬底采用硅, 锗或化合物半导体。
3.如权利要求1所述的超晶格超大规模集成电路，其特征在于，所述过渡层采用二氧化硅、氮化硅和化合物半导体层其中一种。
4.如权利要求1所述的超晶格超大规模集成电路，其特征在于，衬底底部均匀分布有多个通孔。
5.如权利要求1所述的超晶格超大规模集成电路，其特征在于，第四超晶格P型层和第三超晶格低阻N型层，既可以采用同质的半导体超晶格层， 也可以采用异质的半导体超晶格层。
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