[发明专利]一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；

S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述金属酞菁包括酞菁锌、酞菁钴、酞菁铜、全氟酞菁铜、酞菁亚铁或酞菁镍中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，优选地，所述宝石包括蓝宝石；优选地，所述蓝宝石为M面蓝宝石；优选地，在步骤S1中，将M面蓝宝石退火处理，得到表面具有沟道阵列的蓝宝石；优选地，在步骤S1中，将退火处理后的蓝宝石第一次清洗后，进行疏水处理；优选地，在步骤S1中，蓝宝石的第一次清洗步骤为：蓝宝石依次用乙醇、丙酮、乙醇、水、乙醇超声清洗。

4.根据权利要求1所述的一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，使用疏水试剂对衬底进行疏水处理；优选地，所述疏水试剂包括有硅烷化试剂；优选地，所述疏水试剂包括有OTS；优选地，所述疏水试剂包括有OTS与正己烷的混合液；优选地，疏水处理时间为1-2h；优选地，疏水处理时间约为2h。

5.根据权利要求1所述的一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，将衬底浸泡在疏水试剂中进行疏水处理；在步骤S1中，将衬底浸泡在OTS与正己烷的混合液中进行疏水处理；优选地，在步骤S1中，在无水条件下，对所述衬底进行疏水处理；优选地，疏水处理过程中，所述疏水试剂与空气隔离；优选地，疏水处理后，对衬底进行第二次清洗，氮气吹干；优选地，第二次清洗包括有用丙酮对衬底进行冲洗；优选地，第二次清洗包括有用丙酮、乙醇、水对衬底分别进行冲洗；优选地，第二次清洗包括有用丙酮、乙醇、水对衬底依次进行冲洗。

6.根据权利要求1所述的一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述物理气相沉积具体包括：先将金属酞菁于源温区气化，再于处于生长温区的衬底表面沉积形成若干金属酞菁纳米线，其中，所述生长温区的温度低于所述源温区的温度；优选地，源温区温度为440-450℃，生长温区温度为240-260℃；优选地，所述沉积的时间为60-180min；优选地，所述沉积的时间为90-150min；优选地，源温区温度约为450℃，生长温区温度约为250℃，物理气相沉积的时间约为150min；优选地，在步骤S2中，金属酞菁与衬底的距离为12.5-19cm；优选地，金属酞菁与衬底的距离为12.5-14cm；优选地，金属酞菁与衬底的距离为17-19cm；优选地，金属酞菁与衬底的距离约为18cm。

7.根据权利要求1所述的一种金属酞菁纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，保护气体氛围下，形成金属酞菁纳米线；优选地，保护气体为氮气或惰性气体；优选地，氮气的流速为50-200sccm；优选地，所述保护气体氛围的气压为10-20mbar；优选地，氮气的流速约为50sccm，所述氮气氛围的气压约为10mbar。

8.一种根据权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的金属酞菁纳米线阵列。

9.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的金属酞菁纳米线阵列或权利要求8所述的金属酞菁纳米线阵列在光电器件中的应用。

10.一种光电器件，其特征在于，包括有根据权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的金属酞菁纳米线阵列或权利要求8所述的金属酞菁纳米线阵列。