[发明专利]一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法在审
| 申请号： | 202111132499.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113871473A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 余晨辉;秦嘉怡;沈倪明;陈红富;陆炎;成田恬;罗曼 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/16;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 马玉雯 |
| 地址： | 226001 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 范德瓦耳斯 外延 远程 生长 模式 装置 方法 | ||
1.一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置，其特征在于，所述装置包括：氮化镓衬底(1)，单层石墨烯层(2)，栅极(3)，源极(4)，漏极(5)，外加的栅极偏压(6)，外加的源漏电压(7)；所述源极(4)与单层石墨烯层(2)的一端连接在一起，漏极(5)与单层石墨烯层(2)的另一端连接在一起；所述石墨烯层(2)连接在氮化镓衬底(1)的上方，栅极(3)连接在氮化镓衬底(1)的下方；所述外加的栅极偏压(6)为外加在源极(4)与栅极(3)之间的电压；所述外加的源漏电压(7)为外加在源极(4)与漏极(5)之间的电压。
2.如权利要求1所述装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，采用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯，并在氮化镓衬底(1)上通过“卷对卷”的剥离转移技术获得石墨烯层(2)；
步骤2，在氮化镓衬底(1)底层沉积金属接触，形成栅极(3)；
步骤3，在单层石墨烯层(2)的两侧沉积金属接触，形成源极(4)和漏极(5)；
步骤4，在源极(4)和漏极(5)间外加源漏电压(7)，在源极(4)和栅极(3)间外加栅极偏压(6)。
3.一种基于权利要求2所述装置控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的方法，其特征在于，在同一衬底(1)上，通过改变外加在石墨烯层(2)上的栅极偏压(6)来实现范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的选择。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，当所述外加的栅极偏压(6)为正向偏压时，外延生长模式选择的是范德瓦耳斯外延，此时外延生长出与氮化镓衬底(1)无关的二维范德瓦耳斯单晶薄膜(9)；当所述外加的栅极偏压(6)为零或者是反向偏压时，外延生长模式选择的是远程外延，此时外延生长出二维范德瓦耳斯氮化镓单晶薄膜(8)。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4中，当栅极偏压(6)与源漏电压(7)都为零时，外延生长模式选择的是远程外延，此时外延生长出二维范德瓦耳斯氮化镓单晶薄膜(8)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111132499.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
