[发明专利]使用元信息自适应地确定读取阈值电压的系统

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

存储器装置，包括多个页面；以及

控制器，

获得与对所述多个页面之中的选择页面的读取操作相关联的元信息，所述元信息包括读取阈值电压组；

使用所述读取阈值电压组的设定函数以及设定校验和值来确定用于估计与下一次读取操作相关联的数据的校验和值的数学模型；

通过对所述数学模型执行多项式回归来确定一组参数；并且

基于所述一组参数来估计所述下一次读取操作的下一个读取阈值电压。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述设定函数包括sigmoid函数，并且

其中所述选择页面包括三层单元即TLC的最低有效位页面即LSB页面。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述数学模型为二次模型，被表示为：

其中S(·)表示sigmoid函数，(v₂，v₆)表示所述LSB页面的读取阈值电压组，表示与所述下一次读取操作相关联的数据的估计校验和值，CS_max表示所述设定校验和值，Θ＝{θ₀，θ₁，…，θ₄}表示所述一组参数。

4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中基于用于解码与所述读取操作相关联的数据的奇偶校验矩阵的行数来确定所述设定校验和值。

5.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述控制器根据以下等式，通过对所述数学模型的反sigmoid函数执行所述多项式回归来确定所述一组参数：

6.一种存储器系统，包括：

存储器装置，包括多个页面；以及

控制器：

获得与对所述多个页面之中的选择页面的读取操作相关联的元信息，所述元信息包括多个读取阈值电压组、多个校验和值以及数据中特定值的位百分比；

使用当前读取操作的读取阈值电压组的设定函数，确定用于估计下一次读取操作的数据中特定值的位百分比的数学模型；

通过对所述数学模型执行线性回归来确定一组参数；

确定由所述多个读取阈值电压组中的每一组形成的面；

基于所述一组参数来确定所述面的线；

基于所述多个校验和值来确定所述多个读取阈值电压组之中的最佳先前读取阈值电压组；

确定所述面中的与所述最佳先前读取阈值电压组相对应的点；并且

通过将所述点投影到所述线上来估计所述下一次读取操作的下一个读取阈值电压。

7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述设定函数包括sigmoid函数，并且

其中所述选择页面包括三层单元即TLC的最低有效位页面即LSB页面。

8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中所述数学模型为二次模型，被表示为以下等式：

其中S(·)表示sigmoid函数，(v₂，v₆)表示所述LSB页面的读取阈值电压组，表示特定值的位百分比，Φ＝{φ₀，φ₁，φ₂}表示所述一组参数。

9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述控制器根据以下等式，通过对所述数学模型的反sigmoid函数执行所述线性回归来确定所述一组参数：

10.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述特定值为1。

11.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述控制器根据φ₀+φ₁v₂+φ₂v₆＝0来估计所述下一个读取阈值电压。