[发明专利]一种M型异质结半导体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111133790.7 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113751036B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 县涛;邸丽景;李红琴;孙小锋;马俊;高宇姝 | 申请（专利权）人： | 青海师范大学 |
| 主分类号： | B01J27/186 | 分类号： | B01J27/186;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/22;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 810008 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型异质结 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种M型异质结半导体，包括BiOBr以及负载在所述BiOBr表面的Ag纳米线-Ag3PO4纳米颗粒复合物；
所述Ag3PO4纳米颗粒沉积在所述Ag纳米线表面；所述BiOBr与Ag纳米线形成第一异质结，所述Ag纳米线与Ag3PO4纳米颗粒形成第二异质结。
2.根据权利要求1所述的M型异质结半导体，其特征在于，所述BiOBr的形态为片状；所述BiOBr的片径为2～50nm。
3.根据权利要求1所述的M型异质结半导体，其特征在于，所述BiOBr的质量与Ag和Ag3PO4总质量的比为1：(0.015～0.24)。
4.权利要求1～3任一项所述M型异质结半导体的制备方法，包括以下步骤：
将Ag纳米线分散液与AgNO3溶液和磷酸类盐溶液混合，进行共沉淀反应，得到Ag纳米线-Ag3PO4纳米颗粒复合物；
将所述Ag纳米线-Ag3PO4纳米颗粒复合物与BiOBr水分散液混合，进行水热反应，得到M型异质结半导体。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ag纳米线分散液中包括Ag纳米线和分散溶剂，所述Ag纳米线与分散溶剂的用量比为0.01g：(80～192.5)mL。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述AgNO3溶液的浓度为0.009～0.072mol/L；所述磷酸类盐溶液的浓度为0.003～0.024mol/L；所述Ag纳米线分散液中Ag纳米线的质量与AgNO3溶液的体积、磷酸类盐溶液的体积之比为0.01g：(5～40)mL：(5～40)mL。
7.根据权利要求4或6所述的制备方法，其特征在于，所述共沉淀反应的温度为15～30℃；所述共沉淀反应的时间为3～6h。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述BiOBr水分散液中BiOBr和Ag纳米线-Ag3PO4纳米颗粒复合物的质量比为1：(0.015～0.24)。
9.根据权利要求4或8所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为80～120℃；所述水热反应的时间为0.5～2h。
10.权利要求1～3任一项所述M型异质结半导体或权利要求4～9任一项所述制备方法制备得到的M型异质结半导体作为可见光光催化剂的应用。
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