[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本揭示的课题涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本揭示的目的在于简化半导体装置的制造步骤。本揭示的半导体装置具备：有机膜40，形成着在z方向贯通的贯通孔43且具有电绝缘性；导电层31，形成在有机膜40上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层32，形成在导电层31上；半导体元件20，安装在Cu布线层32上；密封树脂50，将半导体元件20密封；及外装端子60，连接到导电层31。导电层31具有从有机膜40的贯通孔43露出的露出导电部31a。外装端子60与露出导电部31a相接。

技术领域

本揭示涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，包含半导体元件的电子零件具备搭载着半导体元件的衬底、与覆盖半导体元件的密封树脂。例如，专利文献1揭示了一种半导体装置，具备：布线，在一面具备外装端子，在另一面搭载半导体元件；及密封树脂，以密封半导体元件的方式形成在布线的另一面。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2013-197263号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，在这种半导体装置中，期望削减半导体装置的制造步骤的步骤数或简化利用已有制造装置等的制造步骤。

本揭示的目的在于提供一种能够简化制造步骤的半导体装置及半导体装置的制造方法。

[解决问题的技术手段]

解决所述问题的半导体装置具备：有机膜，形成着在厚度方向贯通的贯通孔且具有电绝缘性；导电层，形成在所述有机膜上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层，形成在所述导电层上；半导体元件，安装在所述Cu布线层上；密封树脂，密封所述半导体元件；及外装端子，连接于所述导电层；且所述导电层具有通过进入所述贯通孔内而从所述有机膜露出的露出导电部，所述外装端子与所述露出导电部相接。

根据所述构成，在包含Ti的牺牲膜上形成有机膜之后，在有机膜上形成导电层的情况下，因为导电层未包含Ti，所以在从有机膜去除牺牲膜时，能够抑制将导电层与牺牲膜一起被削去。因此，无需为了不在去除牺牲膜时也将导电层去除，而在牺牲膜与导电层之间设置介存物。由此，因为能够省略形成介存物的步骤，所以能够将半导体制造装置的制造步骤简化。

解决所述问题的半导体装置的制造方法具备：准备步骤，在支撑衬底上形成临时固定层，在所述临时固定层上形成包含Ti的牺牲膜；有机膜形成步骤，在所述牺牲膜上，形成有机膜，所述有机膜形成着在厚度方向贯通的贯通孔且具有电绝缘性；导电层形成步骤，在所述有机膜上、及从所述贯通孔露出的所述牺牲膜上中的各者，形成包含不含Ti的Cu系合金的导电层；布线层形成步骤，在所述导电层上形成Cu布线层；元件安装步骤，将半导体元件电连接到所述Cu布线层；树脂层形成步骤，形成密封所述半导体元件的树脂层；第1削除步骤，削除所述支撑衬底及所述临时固定层；及第2削除步骤，削除所述牺牲膜；且在所述导电层形成步骤中，所述导电层进入所述贯通孔内，与所述牺牲膜相接。

根据所述构成，在包含Ti的牺牲膜上形成有机膜之后，在有机膜上形成导电层的情况下，因为导电层不包含Ti，所以在从有机膜去除牺牲膜时，能够抑制将导电层与牺牲膜一起削去。因此，无需为了不在去除牺牲膜时也将导电层去除，而在牺牲膜与导电层之间设置介存物。由此，因为能够省略形成介存物的步骤，所以能够简化半导体装置的制造步骤。

[发明的效果]

根据所述半导体装置及半导体装置的制造方法，能够简化制造步骤。

附图说明

图1是表示一实施方式的半导体装置的剖面构造的剖视图。

图2是一实施方式的半导体装置的背视图。