[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成栅极结构于基底上；

形成源极/漏极区域于该栅极结构两侧；

形成层间介电层于该栅极结构上；

形成接触洞于该层间介电层内并暴露出该源极/漏极区域；

形成第一硅化金属层于该接触洞内；以及

形成第二硅化金属层于该第一硅化金属层上。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成外延层于该源极/漏极区域上；

形成该接触洞并暴露出该外延层；

形成低应力金属层于该接触洞内；

形成阻障层于该低应力金属层上；以及

进行退火制作工艺以形成该第一硅化金属层及该第二硅化金属层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该阻障层包含氮化钛。

4.如权利要求2所述的方法，另包含于该外延层以及该第一硅化金属层之间形成界面层。

5.如权利要求4所述的方法，其中该界面层的锗浓度小于该第一硅化金属层的锗浓度。

6.如权利要求4所述的方法，其中该界面层的锗浓度小于该外延层的锗浓度。

7.如权利要求4所述的方法，其中该界面层包含锗化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第一硅化金属层包含金属硅锗化物。

9.如权利要求1所述的方法，其中该第二硅化金属层包含金属硅化物。

10.一种半导体元件，其特征在于，包含：

栅极结构，设于基底上；

源极/漏极区域，设于该栅极结构两侧；

接触插塞，设于该栅极结构旁的该源极/漏极区域上，该接触插塞包含：

第一硅化金属层，设于该源极/漏极区域上；以及

第二硅化金属层，设于该第一硅化金属层上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，另包含：

外延层，设于该源极/漏极区域上；

界面层，设于该外延层上；

该第一硅化金属层，设于该界面层上；

该第二硅化金属层，设于该第一硅化金属层上；

阻障层，设于该第二硅化金属层上；以及

导电层，设于该阻障层上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该界面层的锗浓度小于该第一硅化金属层的锗浓度。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该界面层的锗浓度小于该外延层的锗浓度。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该界面层包含锗化硅。

15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该阻障层包含氮化钛。

16.如权利要求11所述的半导体元件，其中该导电层包含钨。

17.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一硅化金属层包含金属硅锗化物。

18.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二硅化金属层包含金属硅化物。