[发明专利]一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器在审

专利信息
申请号: 202111135048.X 申请日: 2021-09-27
公开(公告)号: CN113839162A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 王凤娟;彭权;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 王丹
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 tsv 三维 堆叠 交叉 耦合 滤波器
【说明书】:

发明公开了一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器,包括从上至下依次平行设置的顶层RDL、中间层RDL及底层RDL,顶层RDL与中间层RDL之间设有硅衬底I,中间层RDL与底层RDL之间设有硅衬底II,硅衬底I与硅衬底II内分别分布有两个由TSV构成的谐振腔;顶层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明中的馈线采用微带线和共面波导相结合的方式,利用谐振腔之间的交叉耦合,产生带外传输零点,加快了滤波器带外传输系数降低的速度,从而提高了滤波器的选择性。

技术领域

本发明属于三维集成电路技术领域,涉及一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器。

背景技术

SIW滤波器因为其高Q值、低损耗、尺寸小、容易集成等优点近年来被广泛用于各种实际工程中。同时,伴随着无线通信系统的发展,W波段因为其超宽的频带资源而被广泛关注,W波段带通滤波器在W波段射频系统中起着重要作用,其结构与性能直接影响整个射频系统的性能。在W波段更为精巧的射频应用中,滤波器的尺寸与性能被提出了更高的要求。因此,基于现有的技术手段实现尺寸更小、性能更高、更易集成的W波段带通滤波器具有重要意义。在W波段,带通滤波器主要的实现手段是金属矩形波导。传统的波导滤波器具有品质因数高、插入损耗小、工艺成熟的优点。但是,尺寸大、重量大以及集成难度高的缺点,在更高的射频应用中不适用。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器,该滤波器中的馈线采用微带线和共面波导相结合的方式,利用谐振腔之间的交叉耦合,产生带外传输零点,加快了滤波器带外传输系数降低的速度,从而提高了滤波器的选择性。

本发明所采用的技术方案是,一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器,包括从上至下依次平行设置的顶层RDL、中间层RDL及底层RDL,顶层RDL与中间层RDL之间设有硅衬底I,中间层RDL与底层RDL之间设有硅衬底II,硅衬底I与硅衬底II内分别分布有两个由TSV构成的谐振腔;顶层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。

本发明的特点还在于:

硅衬底I内分布的两个谐振腔分别为第一谐振腔和第二谐振腔,所述硅衬底II内分布有两个谐振腔分别为第三谐振腔和第四谐振腔;第一谐振腔和第二谐振腔之间、第三谐振腔和第四谐振腔之间采用电感正耦合结构;

第一谐振腔与第三谐振腔之间、第二谐振腔与第四谐振腔之间采用电容负耦合结构。

输入RDL端口与第一谐振腔之间的耦合结构与输出RDL端口与第二谐振腔的耦合结构相同,均采用了微带线和共面波导结合的方式馈电。

输入RDL端口的相对两侧、输出RDL端口的相对两侧分别设有共面波导槽。

第一谐振腔与第二谐振腔在硅衬底I内对称设置;所述第三谐振腔与第四谐振腔在硅衬底II内对称设置。

本发明的有益效果是:本发明一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器,采用了堆叠形式,相比于平面结构腔体滤波器,节省了芯片面积。馈线采用微带线和共面波导相结合的方式,并且利用交叉耦合结构,产生为了带外传输零点,带外抑制能力强。而且带宽比较窄,选择性较好。且对比于平面型腔体滤波器,插入损耗和回波损耗都减小了。结合TSV技术与基片集成波导技术,实现了尺寸更小、性能更高、更易集成的W波段带通滤波器。这种滤波器性能出色、结构紧凑、尺寸小、更易于与射频系统其它器件集成。

附图说明

图1是本发明一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器的立体图;

图2是本发明一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合腔体滤波器的从上层朝下层看的俯视图;

图3是本发明一种基于TSV的三维堆叠型交叉耦合滤波器的从下往上看的俯视图;

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