[发明专利]一种适用于生长大厚度SiC单晶的装置及方法

权利要求书

1.一种适用于生长大厚度SiC单晶的装置，其特征在于，所述装置包括外坩埚(4)、内坩埚(5)，所述外坩埚(4)套在内坩埚(5)外部，且与上部连接件(1)连接；所述上部连接件(1)上端与电机连接；所述外坩埚(4)外设置上部感应线圈(8)，所述内坩埚(5)外设置下部感应线圈(9)，所述上部感应线圈(8)与电机连接，所述上部、下部感应线圈(8、9)分别接于不同电源。

2.根据权利要求1所述的适用于生长大厚度SiC单晶的装置，其特征在于，所述外坩埚(4)与上部连接件(1)螺纹连接。

3.一种采用如权利要求1-2任意一项所述的适用于生长大厚度SiC单晶的装置生长SiC单晶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤一、原料放入内坩埚(5)中，籽晶粘贴到外坩埚(4)的坩埚盖上，将外坩埚(4)套在内坩埚(5)外部；

步骤二、调节上部、下部感应线圈(8、9)高度，将整个热场位于感应线圈内，下部感应线圈(9)位于原料区域，上部感应线圈(8)位于生长腔；

步骤三、上部、下部感应线圈(8、9)逐步加热，下部感应线圈(9)控制原料区域温度达到2200-2350℃，上部感应线圈(8)控制籽晶区域温度达到2000-2100℃；

步骤四、开始长晶，使外坩埚(4)上升，上部感应线圈(8)整体逐渐上移，保持晶体生长界面温度稳定，同时逐步降低下部感应线圈(9)功率，保持原料区域温度恒定；

步骤五、生长阶段结束后，逐步降低线圈加热功率，内、外坩埚(5、4)进入降温阶段；

步骤六、自然冷却后，取出晶体。

4.根据权利要求3所述的适用于生长大厚度SiC单晶的方法，其特征在于，所述步骤(4)外坩埚(4)上升的速度为120-180μm/h。

5.根据权利要求4所述的适用于生长大厚度SiC单晶的方法，其特征在于，所述长晶时间为30-40h。