[发明专利]无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法在审
| 申请号： | 202111136252.3 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113889534A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋洋;汪青;于洪宇;郑韦志;杜方洲 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 电极 半导体器件 射频 器件 及其 制法 | ||
1.一种无金欧姆接触电极，形成于半导体器件的外延结构上，其特征在于，所述无金欧姆接触电极包括：
接触层，堆叠于所述外延结构的顶表面；
金属帽层，堆叠于所述接触层之上；
其中，所述接触层包括合金结构、含硅结构或含低功函金属结构。
2.根据权利要求1所述的无金欧姆接触电极，其特征在于，所述金属帽层的材料包括TiN、Ti、Ta或W；
和/或，所述接触层具有以下任意一项的限定：
第一限定、所述合金结构包括TixAl1-x、TaxAl1-x、TixAlySi1-x-y或TaxAlySi1-x-y；
第二限定、所述含硅结构包括从所述顶表面依次叠层布置的Si/Ti/Al、Si/Ta/Al、Si/TixAl1-x、Si/TaxAl1-x或对所述顶表面进行硅掺杂形成的硅掺杂层；
第三限定、所述含低功函金属结构包括从所述顶表面依次叠层布置的Sc/Ti/Al、Sc/Ta/Al、Sc/TixAl1-x、Sc/TaxAl1-x、TixAlySc1-x-y、TaxAlySc1-x-y、La/Ti/Al、La/Ta/Al、La/TixAl1-x、La/TaxAl1-x、TixAlyLa1-x-y或TaxAlyLa1-x-y。
3.一种半导体器件，其特征在于，具有外延结构、如权利要求1或2所述的无金欧姆接触电极，所述无金欧姆接触电极形成于所述外延结构的顶表面。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是功率器件或射频器件；
和/或，所述半导体器件包括绝缘栅型场效应晶体管、HEMT器件、MIS-HEMT器件或绝缘栅型HEMT器件。
5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述无金欧姆接触电极从所述顶表面凸出设置或者至少部分从所述顶表面嵌入至所述外延结构中；
和/或，所述外延结构具有栅凹槽，且所述栅凹槽从所述顶表面凹陷，栅极形成于所述栅凹槽之上；
可选地，所述外延结构具有栅凹槽，且所述栅凹槽从所述顶表面凹陷，所述栅凹槽的表面具有栅介质层，栅极形成于所述栅介质层之上。
6.一种射频器件，其特征在于，包括外延结构和根据权利要求1或2所述的无金欧姆接触电极；
所述外延结构具有依次叠层设置的衬底、缓冲层、沟道层、插入层以及势垒层；所述外延结构的势垒层分别形成有源极、栅极以及漏极，其中，所述源极和所述漏极分别独立地选自所述无金欧姆接触电极。
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