[发明专利]发光器件和显示基板在审

专利信息
申请号: 202111136482.X 申请日: 2021-09-27
公开(公告)号: CN113871518A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 孙双;张方振;牛菁;牛亚男;周婷婷;彭锦涛;秦斌;王玮;陈婉芝 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/06;H01L33/14;H01L25/16;G09F9/33
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 武娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 显示
【说明书】:

发明涉及一种发光器件和显示基板。所述发光器件,包括:第一发光结构、第一电极、第一导电结构与第一反射层;第一电极通过第一导电结构与第一发光结构电连接,第一反射层位于第一电极与第一发光结构之间,第一电极在第一发光结构上的投影位于第一反射层在第一发光结构上的投影内。根据本发明的实施例,可以提高发光器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光器件和显示基板。

背景技术

相关技术中,发光二极管(LED)的发光效率比较低。因此,如何提高LED的发光效率是需要解决的一个技术问题。

发明内容

本发明提供一种发光器件和显示基板,以解决相关技术中的不足。

根据本发明实施例的第一方面,提供一种发光器件,包括:第一发光结构、第一电极、第一导电结构与第一反射层;

所述第一电极通过所述第一导电结构与所述第一发光结构电连接,所述第一反射层位于所述第一电极与所述第一发光结构之间,所述第一电极在所述第一发光结构上的投影位于所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影内。

在一个实施例中,所述第一反射层的材料为绝缘材料;所述第一反射层为布拉格反射镜;

所述第一反射层位于所述第一导电结构中,所述第一导电结构与所述第一发光结构接触。

在一个实施例中,所述第一导电结构包括第一导电层与第二导电层,所述第一导电层位于所述第一发光结构上,并与所述第一发光结构电连接,所述第一反射层位于所述第一导电层远离所述第一发光结构的一侧,所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影位于所述第一导电层在所述第一发光结构上的投影内,所述第二导电层位于所述第一反射层远离所述第一导电层的一侧,所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影位于所述第二导电层在所述第一发光结构上的投影内;所述第二导电层与所述第一导电层搭接。

在一个实施例中,所述第一发光结构包括第一半导体层、第一发光层与第二半导体层,所述第一发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间,所述第一电极与所述第二半导体层电连接。

在一个实施例中,所述第二半导体层远离所述第一发光层的表面包括第一区域与第二区域,所述第一区域与所述第二区域相邻;

所述第一导电层位于所述第二半导体层远离所述第一发光层的一侧,所述第一导电层与所述第二半导体层的接触面位于所述第一区域;所述第二导电层覆盖所述第一反射层、所述第一导电层以及所述第二半导体层,所述第二导电层与所述第二半导体层的接触面位于所述第二区域;所述第一反射层在所述第二半导体层上的投影位于所述第一区域。

在一个实施例中,所述第一导电层与所述第二半导体层的接触面的面积与所述第二导电层与所述第二半导体层的接触面的面积的和小于或等于所述第二半导体层远离所述第一发光层的表面的面积。

在一个实施例中,所述第一导电层位于所述第二半导体层远离所述第一发光层的一侧,且覆盖所述第二半导体层的部分或全部;

所述第二导电层覆盖所述第一反射层与所述第一导电层,所述第二导电层在所述第二半导体层上的投影位于所述第一导电层在所述第二半导体层上的投影内。

在一个实施例中,所述发光器件,还包括第二发光结构、第二电极、第二导电结构以及第二反射层;

所述第二发光结构与所述第一发光结构通过所述第二电极与所述第二导电结构串联;

所述第二电极的第一端通过所述第二导电结构与所述第二发光结构电连接,所述第二电极的第二端与所述第一发光结构电连接;

所述第二反射层位于所述第二电极与所述第二发光结构之间,所述第二电极在所述第二发光结构上的投影位于所述第二反射层在所述第二发光结构上的投影内。

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