[发明专利]一种显示面板有效
申请号: | 202111137554.2 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN113838424B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 戴超;李波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列设置的多个发光元件和驱动所述发光元件发光的像素电路,所述发光元件的第一电极电连接第一电源,所述发光元件的第二电极电连接第二电源,所述像素电路耦合在所述第一电源和所述发光元件的所述第一电极之间,所述像素电路包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管的栅极电连接第一节点,所述驱动晶体管的源极电连接第二节点,所述驱动晶体管的漏极电连接第三节点,所述发光元件的所述第一电极通过所述驱动晶体管电连接所述第一电源;
数据写入晶体管,所述数据写入晶体管的栅极电连接第一扫描线,所述数据写入晶体管的源极电连接数据线,所述数据写入晶体管的漏极电连接所述第二节点;
存储电容,包括第一电容电极和第二电容电极,所述第一电容电极电连接所述第一电源,所述第二电容电极电连接所述第一节点;
第一复位晶体管,所述第一复位晶体管的栅极电连接第二扫描线,所述第一复位晶体管的源极电连接所述第一节点,所述第一复位晶体管的漏极电连接第一复位信号源;
第二复位晶体管,所述第二复位晶体管的栅极电连接第三扫描线,所述第二复位晶体管的源极电连接所述第一复位晶体管的漏极,所述第二复位晶体管的漏极电连接所述第一复位信号源;
重置晶体管,所述重置晶体管的栅极电连接所述第一扫描线,所述重置晶体管的源极电连接第二复位信号源,所述重置晶体管的漏极连接在所述发光元件的所述第一电极;其中,所述第一复位信号源和所述第二复位信号源由分开的两条独立的信号线分别供给信号;
补偿晶体管,所述补偿晶体管的栅极电连接所述第一扫描线,所述补偿晶体管的源极电连接所述第三节点,所述补偿晶体管的漏极电连接所述第一复位晶体管的漏极;
第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的栅极电连接发光控制信号线,所述第一发光控制晶体管的源极电连接第一电源,所述第一发光控制晶体管的漏极电连接所述第二节点;
第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的栅极电连接所述发光控制信号线,所述第二发光控制晶体管的源极电连接所述第三节点,所述第二发光控制晶体管的漏极电连接所述发光元件的第一电极;
其中,所述第一复位晶体管为氧化物晶体管,所述补偿晶体管、所述第二复位晶体管、所述驱动晶体管、所述数据写入晶体管、所述重置晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管均多晶硅晶体管;
所述像素电路工作过程包括复位阶段、数据写入阶段和发光阶段;在所述复位阶段,所述第一复位晶体管、所述第二复位晶体管打开;在所述数据写入阶段,所述驱动晶体管、所述数据写入晶体管、所述补偿晶体管、所述第一复位晶体管、所述重置晶体管打开;在所述发光阶段,所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管、所述驱动晶体管打开。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二复位晶体管和所述补偿晶体管为单栅结构。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,包括自下而上层叠设置的基底、第一有源层、第一金属层、第二金属层、第二有源层、第三金属层;
所述第一有源层形成多晶硅晶体管的有源层,所述第二有源层形成氧化物晶体管的有源层;
所述第一金属层形成所述多晶硅晶体管的栅极;所述第二金属层形成所述氧化物晶体管的第一栅极;
其中,所述氧化物晶体管的第一栅极在所述基底上的正投影与所述氧化物晶体管的有源层在所述基底上的正投影具有一个重叠区;
其中,所述多晶硅晶体管的栅极在所述基底上的正投影与所述多晶硅晶体管的有源层在所述基底上的正投影具有一个重叠区。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第三金属层形成所述氧化物晶体管的第二栅极;
其中,所述氧化物晶体管的第二栅极在所述基底上的正投影与所述氧化物晶体管的有源层在所述基底上的正投影具有一个重叠区,且所述氧化物晶体管的第二栅极与所述氧化物晶体管的第一栅极在所述基底上的正投影至少部分重叠。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多晶硅晶体管为P型晶体管;所述氧化物晶体管为N型晶体管。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一扫描线和所述第二扫描线为当前行扫描线,所述第三扫描线为前一行扫描线。
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