[发明专利]石墨烯氧化钒红外探测器、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，包括响应部，所述响应部包括基体，

形成于基体上的电极，所述电极在基体表面形成有空缺部分，

形成于电极上的石墨烯层，所述石墨烯层、电极以及基体限定所述空缺部分为腔结构，

形成于石墨烯层上的Parylene薄膜层，

形成于Parylene薄膜层上的氧化钒层，所述氧化钒层至少部分与电极电连接。

2.如权利要求1所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述电极为中空的环形，所述空缺部分为环形的电极贴合在基体上所形成的中空部分。

3.如权利要求1所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述氧化钒层完全地覆盖Parylene薄膜层，并通过氧化钒层的边沿部分连接到电极，所述石墨烯层和Parylene薄膜层限定于氧化钒层的覆盖空间内。

4.如权利要求1-3任一所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述电极的厚度为80-100nm。

5.如权利要求1所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述石墨烯层为单层石墨烯或多层石墨烯。

6.如权利要求1或3所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述Parylene薄膜层的厚度为30-50nm。

7.如权利要求1或3所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述氧化钒层的厚度为50-100nm。

8.如权利要求1所述的石墨烯氧化钒红外探测器，其特征在于，所述基体包括硅衬底以及形成与硅衬底上的二氧化硅层，所述电极形成于二氧化硅层上。

9.如权利要求1-8任一所述的石墨烯氧化钒红外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

准备石墨烯层与Parylene薄膜层所形成的多层薄膜；

在基体上形成电极；

转移多层薄膜至电极上；

刻蚀多层薄膜形成满足设计要求的形状；

以Parylene薄膜层为依托形成氧化钒薄膜。

10.如权利要求1-8任一所述的石墨烯氧化钒红外探测器在红外成像、红外显示中的应用。