[发明专利]一种抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种抗辐射封装加固的CMOS器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤1，制备复合粉体；

以稀土金属氧化物和高Z金属材料为原料，制备核壳结构的复合粉体；

所述的步骤1制备复合粉体的方法具体为：向体积为200mL，浓度为15g/L的硝酸铒水溶液中加入15g钨粉，搅拌均匀后，加入20mL氨水，在35℃条件下进行搅拌，直至Er₂O₃层析出并均匀地分散在钨粉的表面，得到包覆效果较好的W@Er₂O₃复合材料；

步骤2，制备复合涂层；

将步骤1获得的复合粉体与树脂进行混合，并使用三辊研磨机进行研磨处理，研磨结束后，将得到的浆料涂覆在CMOS器件表面，固化处理后形成复合涂层。

2.根据权利要求1所述的一种抗辐射封装加固的CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述的步骤2中复合粉体加入量为复合粉体和树脂总质量的30％～70％。

3.根据权利要求1所述的一种抗辐射封装加固的CMOS器件的制备方法，所述的步骤2中研磨处理时间为5min～10min。

4.根据权利要求1所述的一种抗辐射封装加固的CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述的步骤2获得到的复合涂层的厚度为100 μ m ～300 μ m 。

5.根据权利要求1所述的一种抗辐射封装加固的CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述的步骤2中树脂为氰酸酯、环氧树脂或聚氨酯中任意一种。