[发明专利]一种高纯聚有机硅氧烷的制备方法

权利要求书

1.一种高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，基于以下刮膜装置：包括沿物料输送方向依次设置的胶体入口连接管、胶体分散器、真空管道、旋转筒和产品出口连接管，所述旋转筒包括筒体外壳和内转筒；步骤为：

将聚有机硅氧烷从胶体入口连接管加入刮膜装置中，经胶体分散器分散并附着在内转筒外壁上，内转筒转速为1300～1800r/min，在180～198℃下抽真空，脱除聚有机硅氧烷中残留的低分子聚硅氧烷及杂质，冷却，得到所述高纯聚有机硅氧烷。

2.如权利要求1所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述聚有机硅氧烷以750～850kg/h的流速进入刮膜装置；内转筒外壁上附着的胶体的厚度为0.45～0.55mm；抽真空至5～10Pa；冷却至50℃，收集产品出口连接管中的物料，得到所述高纯聚有机硅氧烷。

3.如权利要求1～2任一项所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述聚有机硅氧烷的制备方法包括如下步骤：

(1)将含环硅氧烷的原料升温至55～65℃，脱水0.5～1.5h；

(2)加入催化剂，将温度升至85～95℃，反应0.5～1.5h；

(3)加入封端剂；

(4)升温至140～160℃，使催化剂分解，终止反应。

4.如权利要求3所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，加入封端剂后，再于100～120℃下熟化2～4h。

5.如权利要求3所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)结束后将温度升至165～175℃，在-0.1～-0.07MPa条件下，抽真空1.5～2.5h。

6.如权利要求3所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，含环硅氧烷的原料包含八甲基环四硅氧烷、二甲基环硅氧烷、甲基乙烯基环硅氧烷、甲基苯基环硅氧烷、二苯基环硅氧烷、甲基三氟丙基环硅氧烷、甲基氢环硅氧烷、有机硅线性体中的至少一种。

7.如权利要求3所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述催化剂包含氢氧化钾、氢氧化锂、四甲基氢氧化铵、硅醇铵、氨水中的至少一种。

8.如权利要求3所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述封端剂包含水、含氢硅氧烷、乙烯基硅氧烷中的至少一种。

9.如权利要求3所述的高纯聚有机硅氧烷的制备方法，其特征在于，所述含环硅氧烷的原料与催化剂的质量比为100:0.01～0.05。