[发明专利]一种薄膜电阻结构、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种薄膜电阻结构，其特征在于包括两个图形化薄膜电阻，两个所述图形化薄膜电阻相互配合形成嵌套结构，并且两个图形化薄膜电阻之间无电性连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于，两个所述图形化薄膜电阻上的激励电流方向相反。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的薄膜电阻结构，其特征在于，具体包括：

形成于衬底表面的图形化铂薄膜电阻；

形成于图形化铂薄膜电阻上的氧化铝保护层；

形成于氧化铝保护层上的隔离层；以及保护釉层，其完全覆盖所述图形化铂薄膜电阻、氧化铝保护层及隔离层。

4.根据权利要求3所述的薄膜电阻结构，其特征在于，所述隔离层的材质为高温陶瓷胶。

5.根据权利要求4所述的薄膜电阻结构，其特征在于，所述图形化铂薄膜电阻形成于衬底表面的第一区域，所述衬底表面的第二区域还设置有与所述图形化铂薄膜电阻配合的引线焊盘和引线，所述引线焊盘与引线通过铂浆电连接。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的薄膜电阻结构的制备方法，其特征在于包括：

在衬底表面形成铂薄膜，并将所述铂薄膜加工成两个图形化铂薄膜电阻，其中两个图形化铂薄膜电阻相互配合形成嵌套结构，并且两个图形化铂薄膜电阻之间无电性连接；

在所述图形化铂薄膜电阻上依次形成氧化铝保护层、隔离层；

在隔离层上形成保护釉层，并使所述图形化铂薄膜电阻、氧化铝保护层及隔离层被完全包埋于所述保护釉层内。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述铂薄膜的厚度为300～600nm；和/或，所述氧化铝保护层的厚度为1～1.5μm；和/或，所述隔离层的厚度为40～60μm；和/或，所述保护釉层的厚度为100～150μm。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于还包括：在衬底表面设置引线焊盘，并在所述引线焊盘上涂覆铂浆，使引线焊盘与引线电性结合。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于还包括：所述引线焊盘亦被包埋于所述保护釉层内。

10.一种薄膜温度传感器，其特征在于包括权利要求1-5中任一项所述的薄膜电阻结构。