[发明专利]波长转换构件及发光装置在审
申请号: | 202111140903.6 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN114316978A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 吉田茂希;渡边浩之;松家衣里 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;H01L33/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长 转换 构件 发光 装置 | ||
1.一种波长转换构件,其具备支撑体和配置于所述支撑体上的波长转换层,所述波长转换层具有包含组成由下述式(1)表示的荧光体的荧光体层,
所述荧光体层的厚度为5μm以上且155μm以下,
在与所述波长转换层对于所述支撑体的配置面正交的截面中,相对于所述波长转换层的截面积,所述荧光体的粒子截面积的总和的比率为5%以上且小于40%,
LapCeqM1rSi6Ns (1)
在所述式(1)中,M1表示La及Ce以外的选自稀土类元素中的至少1种,M1中的Y、Gd及Lu的总摩尔含有率为90%以上,p、q、r及s满足2.7≤p+q+r≤3.3、0≤r≤1.2、10≤s≤12、以及0<q≤1.2。
2.根据权利要求1所述的波长转换构件,其中,
所述荧光体层的厚度为5μm以上且75μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的波长转换构件,其中,
相对于所述波长转换层的截面积,所述荧光体的粒子截面积的总和的比率为7%以上且35%以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的波长转换构件,其中,
所述荧光体的中值粒径为5μm以上且40μm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的波长转换构件,其中,
所述式(1)中,所述M1中的Y的摩尔含有率为90%以上。
6.一种发光装置,其具备上述权利要求1~5中任一项所述的波长转换构件、和在350nm以上且500nm以下的波长范围内具有发光峰值波长的发光元件。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,
所述发光元件包含激光二极管。
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