[发明专利]三维存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种三维存储器的控制方法，所述三维存储器包括沿衬底的垂直方向堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第一堆栈和所述第二堆栈都分别包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述多个存储单元包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于所述第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径，所述方法包括：

对选中的存储单元进行读操作，所述选中的存储单元在所述第一堆栈和/或所述第二堆栈中；

向所述第一堆栈和所述第二堆栈中除所述选中的存储单元之外的未选中的存储单元施加导通电压，所述导通电压包括第一导通电压和第二导通电压，所述第一导通电压小于所述第二导通电压，其中，向所述第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，向所述第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压。

2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，还包括：

对所述选中的存储单元进行编程验证操作；

向所述第一堆栈和所述第二堆栈中除所述选中的存储单元之外的未选中的存储单元施加所述导通电压，其中，向所述第二未选中存储单元施加所述第二导通电压，并根据所述第一未选中存储单元的状态确定所要施加的所述导通电压，若所述第一未选中存储单元处于编程态，则向所述第一未选中存储单元施加所述第一导通电压；若所述第一未选中存储单元处于擦除态，则向所述第一未选中存储单元施加所述第二导通电压。

3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述存储串中的存储单元与对应的字线相耦接，通过所述字线向所述存储单元施加所述导通电压。

4.如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，在对选中的存储单元进行读操作时，在所述选中的存储单元的字线上施加读取电压。

5.如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，在对选中的存储单元进行编程验证操作时，在所述选中的存储单元的字线上施加编程验证电压。

6.如权利要求3所述的控制方法，其特征在于，每个存储单元在所述存储串中处于相应的单元深度，沿着所述存储串的沟道结构的延伸方向，通过所述字线逐层向处于同一单元深度的存储单元的页进行编程操作。

7.一种三维存储器，包括：

存储单元阵列，包括沿衬底的垂直方向堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第一堆栈和所述第二堆栈都分别包括多个存储串，每个所述存储串在所述衬底上方竖直延伸并且包括竖直串联布置的多个存储单元；

所述多个存储单元包括第一部分和第二部分，所述第一部分的存储单元的沟道结构的直径小于所述第二部分的存储单元的沟道结构的直径；

控制器，配置为：在对选中的存储单元进行读操作时，向电压控制器发送控制信号，所述电压控制器响应于所述控制信号向未选中的存储单元施加导通电压，所述导通电压包括第一导通电压和第二导通电压，所述第一导通电压小于所述第二导通电压，其中，向第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，向第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压。

8.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述控制器还配置为：在对选中的存储单元进行编程验证操作时，向所述电压控制器发送控制信号，所述电压控制器响应于所述控制信号向所述第二未选中存储单元施加所述第二导通电压，若所述第一未选中存储单元处于编程态，则所述电压控制器向所述第一未选中存储单元施加所述第一导通电压；若所述第一未选中存储单元处于擦除态，则所述电压控制器向所述第一未选中存储单元施加所述第二导通电压。

9.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，还包括多条字线，每条所述字线与处于同一单元深度的存储单元的页耦接，其中，每个存储单元在所述存储串中处于相应的单元深度。

10.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述存储串的沟道结构的直径从所述存储串的底部到顶部逐渐增大。