[发明专利]具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统

权利要求书

1.一种电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括布置成层的竖直交替的绝缘结构和导电结构；

导柱，其竖直延伸穿过所述堆叠结构；

屏障材料，其上覆于所述堆叠结构；

第一绝缘材料，其延伸穿过所述屏障材料并进入所述堆叠结构的上部层部分；以及

第二绝缘材料，其横向邻近所述第一绝缘材料且横向邻近所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构中的至少一些，所述第二绝缘材料的至少一部分与所述屏障材料竖直对准。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括在所述导柱的上部部分中的接触插塞和上覆于所述堆叠结构的接触结构，其中所述接触结构通过所述屏障材料中的开口直接物理接触所述接触插塞。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一绝缘材料包括在所述堆叠结构的邻近子块之间延伸的基本上连续材料。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构被配置为漏极侧选择栅极。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一绝缘材料的宽度从所述堆叠结构的顶部处的最宽宽度到所述堆叠结构的所述上部层部分的底部处的最窄宽度逐渐变窄。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第二绝缘材料与所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述绝缘结构中的相邻绝缘结构的至少一部分直接竖直对准。

7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述上部层部分中的所述导电结构相对于所述绝缘结构凹入。

8.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第一绝缘材料与所述第二绝缘材料直接物理接触。

9.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述第二绝缘材料的横向范围大于所述屏障材料的中心开口的横向范围。

10.一种电子装置，其包括：

导柱，其布置在堆叠结构的子块中；以及

层，其包括所述堆叠结构内的通过绝缘结构分隔开的导电结构，在所述堆叠结构的上部层部分中的所述导电结构中的至少一些横向邻近靠近所述堆叠结构的单个子块的周边的额外绝缘材料，其中在所述堆叠结构的所述上部层部分中的最上部导电结构的高度处的所述额外绝缘材料的一部分的外径大于在所述堆叠结构的所述上部层部分中的最下部导电结构的高度处的所述额外绝缘材料的另一部分的外径。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中所述额外绝缘材料横向延伸以界定绝缘延伸部，所述绝缘延伸部竖直邻近所述层中的所述上部层部分中的所述绝缘结构的端部，所述绝缘延伸部将所述导电结构彼此电隔离。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构中的至少一些相对于所述堆叠结构的所述层中的所述绝缘结构横向凹入。

13.根据权利要求10至12中任一权利要求所述的电子装置，其进一步包括屏障材料，所述屏障材料上覆于所述堆叠结构，所述额外绝缘材料延伸远离所述单个子块的所述周边，其中所述额外绝缘材料的至少一部分与所述屏障材料直接竖直对准。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述额外绝缘材料包括氧化物材料，所述屏障材料包括氮化物材料。

15.根据权利要求10至12中任一权利要求所述的电子装置，其中所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构的部分在水平方向上相对短于所述堆叠结构的下部层部分中的所述导电结构的部分。