[发明专利]四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质

权利要求书

1.一种四分裂导线电流检测方法，其特征在于，所述方法包括：

分别获取一个双轴隧道磁电阻芯片和三个单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值；其中，所述双轴隧道磁电阻芯片和三个所述单轴隧道磁电阻芯片均匀分布在一个圆环的边界上；第一类磁感应的磁敏感方向与相应隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相垂直；

获取所述双轴隧道磁电阻芯片的第二类磁感应强度的测量值；其中，所述第二类磁感应的磁敏感方向与所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相平行；

获取所述圆环的半径和四分裂导线中两相邻导线之间的距离；其中，所述四分裂导线中的第一导线位于所述圆环的内部，第二导线、第三导线和第四导线与所述第一导线分别位于同一个矩形的四个顶点处；

获取第一夹角的取值范围和选值间隔，确定所述第一夹角的预取值集合；所述第一夹角为所述双轴隧道磁电阻芯片位置处圆环半径所在的直线与所述第一导线和所述第四导线连线所在直线的夹角；

将所述第一类磁感应强度的测量值、所述圆环的半径、所述四分裂导线中两相邻导线之间的距离和所述第一夹角四种参数进行线性变换，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的四分裂导线中每根导线上的电流预测值；

根据所述电流预测值，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的第二类磁感应强度的计算值；

将所述第一夹角取不同预取值时对应的第二类磁感应强度的计算值，分别与所述第二类磁感应强度的测量值进行对比，确定第一夹角的最优值；

根据所述第一夹角的最优值，确定所述四分裂导线中每根导线上的电流目标值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三个单轴隧道磁电阻芯片分为第一单轴隧道磁电阻芯片、第二单轴隧道磁电阻芯片和第三单轴隧道磁电阻芯片，所述双轴隧道磁电阻芯片和三个所述单轴隧道磁电阻芯片均匀分布在一个圆环的边界上，包括：

所述双轴隧道磁电阻芯片、所述第一单轴隧道磁电阻芯片、所述第二单轴隧道磁电阻芯片和所述第三单轴隧道磁电阻芯片依次分布在所述圆环的边界上；

所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径与所述第一单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径之间的夹角为90度；

所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径与所述第二单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径之间的夹角为180度；

所述第一单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径与所述第三单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径之间的夹角为180度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类磁感应强度的测量值包括：所述双轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值、所述第一单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值、所述第二单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值、以及所述第三单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值；

所述双轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述双轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；

所述第一单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述第一单轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；

所述第二单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述第二单轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；

所述第三单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述第三单轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；

其中，由所述双轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度、所述第一单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度、所述第二单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度和所述第三单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度进行联合，所构成的四元一次方程组，用于确定四分裂导线中每根导线上的电流值。