[发明专利]多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法

说明书

一种多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，该装置具备：多个剂量数据生成电路，生成试样的描绘区域内的各位置的剂量数据；带余量块区域生成电路，生成在试样的各块区域的周围附加余量区域的多个带余量块区域；检测电路，检测缺陷射束；确定电路，确定缺陷射束照射的位置；所属判定电路，按照根据缺陷射束照射的位置成为多个子块区域的哪个区域来设定的条件，判定缺陷射束照射的位置所属的多个带余量块区域中的一个；缺陷射束校正电路，使用所属的带余量块区域内的各位置的剂量的数据，运算校正剂量异常的至少一个位置的校正剂量；描绘机构，使用校正剂量异常的至少一个位置的剂量被控制为校正剂量的多带电粒子束，在试样上描绘图案。

本申请以日本专利申请2020-169019号(申请日：2020年10月6日)为基础申请，享受该基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的一方式涉及多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，例如涉及降低因多射束描绘而引起的图案的尺寸偏移的方法。

背景技术

担负半导体设备的微细化的进展的光刻技术是在半导体制造工艺中生成唯一图案的极其重要的工艺。近年来，伴随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。此处，电子射线(电子束)描绘技术在本质上具有优异的分辨率，使用电子射线向掩模坯描绘掩模图案。

例如，有使用了多射束的描绘装置。与用一个电子束描绘的情况相比，通过使用多射束，能够一次照射较多的射束，能够大幅度提高生产量。在这种多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪放出的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别进行消隐控制，未被遮挡的各射束由光学系统缩小，掩模像被缩小，由偏转器偏转而向试样上的所希望的位置照射。

在多射束描绘中，根据照射时间来控制从各射束照射的剂量。但是，由于消隐控制机构的故障等而难以进行照射时间控制，可能会产生向试样照射比所希望的剂量过剩的剂量的缺陷射束。例如，可举出始终开启射束作为代表例。如果向试样照射过剩剂量，则存在产生试样上形成的图案的形状误差的问题。关于这种问题，提出了以从周围的射束组各自的剂量减少对应的分担剂量以便通过缺陷射束的周围的射束组分担与由缺陷射束产生的过剩剂量相同的剂量的方式进行照射的方法(例如，参照日本特开2020-021919号公报)。

此处，为了配合描绘处理的速度而以高速生成发射数据，而需要将数据处理区域分为多个块来进行并行处理。但是，校正缺陷射束的校正处理所需的数据的位置可能跨越多个块。在该情况下，如果在块间进行数据的交换，则存在并行处理的效率降低的问题。

发明内容

本发明的一方案提供一种多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，在多射束描绘中，能够不在块间进行数据的交换而进行缺陷射束的校正处理。

本发明的一方案的多带电粒子束描绘装置，具备：

多个剂量数据生成电路，生成试样的描绘区域内的各位置的剂量的数据；

带余量块区域生成电路，生成在试样的描绘区域被分割而成的多个块区域的各块区域的周围附加了余量区域的多个带余量块区域；

检测电路，从多带电粒子束中检测缺陷射束；

确定电路，针对检测到的每个缺陷射束，确定由该缺陷射束照射的位置；

所属判定电路，按照根据多带电粒子束中的缺陷射束照射的位置成为分割带余量块区域而成的多个子块区域的哪个区域来设定的条件，判定缺陷射束照射的位置所属的多个带余量块区域中的一个；

缺陷射束校正电路，使用缺陷射束照射的位置所属的带余量块区域内的各位置的剂量的数据，对校正因缺陷射束而引起的剂量异常的至少一个位置的校正剂量进行运算；以及

描绘机构，使用校正剂量异常的至少一个位置的剂量被控制为上述校正剂量的多带电粒子束，在上述试样上描绘图案。