[发明专利]阵列基板和显示模组在审
申请号: | 202111142690.0 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113871404A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 楼腾刚 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼;白明珠 |
地址: | 201100 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 模组 | ||
本申请提供了一种阵列基板和显示模组,涉及显示技术领域,阵列基板包括衬底基板,多个阵列排布的薄膜晶体管单元,每一薄膜晶体管单元包括设置于衬底基板第一侧的栅极、有源层、源极和漏极;多个第一结构件,设置于衬底基板第一侧;第一结构件在衬底基板的正投影与源极在衬底基板的正投影不交叠,第一结构件在衬底基板的正投影与漏极在衬底基板的正投影不交叠。通过设置第一结构件对显示模组中背光发出的光照进行至少部分遮挡,避免薄膜晶体管单元出现在高亮度高温下元件特性漂移的问题;并且设置第一结构件在衬底基板的正投影与漏极在衬底基板的正投影不交叠,避免第一结构件与漏极之间产生交叠电容,从而避免对漏极在工作过程中负载的增加。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板和显示模组。
背景技术
在平面显示技术中,液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)的主体结构是由阵列基板和彩膜基板对盒,并在其之间注入液晶而形成的,阵列基板远离彩膜基板的一侧还包括背光模组;阵列基板上形成有栅线、数据线、阵列排布的薄膜晶体管单元和像素电极等。当LCD中的薄膜晶体管单元选用IGZO(indium gallium zinc oxide),且LCD在处于显示状态时,背光模组发出的光线照射到IGZO晶体管的有源层时,会导致IGZO出现在高亮度高温下的负偏压稳定性不佳的问题,薄膜晶体管单元因为长时间的持续偏压会产生元件特性漂移的现象,导致显示效果变差。因此,亟待提供一种新型的显示模组,能够解决薄膜晶体管单元在高亮度高温下所出现的元件特性漂移问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板和显示模组,用以解决薄膜晶体管单元在高亮度高温下所出现的元件特性漂移问题。
第一方面,本申请提供一种阵列基板,包括:
衬底基板,
多个阵列排布的薄膜晶体管单元,每一薄膜晶体管单元包括设置于衬底基板第一侧的栅极、有源层、源极和漏极;
多个第一结构件,设置于衬底基板第一侧;
第一结构件在衬底基板的正投影与源极在衬底基板的正投影不交叠,第一结构件在衬底基板的正投影与漏极在衬底基板的正投影不交叠。
第二方面,本申请提供一种显示模组,包括显示面板和背光模组,显示面板包括阵列基板;
背光模组位于衬底基板远离栅极一侧。
与现有技术相比,本发明提供的一种阵列基板和显示模组,至少实现了如下的有益效果:
本申请提供了一种阵列基板和显示模组,该阵列基板包括设置于衬底基板第一侧的多个薄膜晶体管单元,以及设置于衬底基板第一侧的多个第一结构件,通过设置第一结构件对显示模组中背光发出的光照进行至少部分遮挡,避免薄膜晶体管单元出现在高亮度高温下元件特性漂移的问题;并且设置第一结构件在衬底基板的正投影与漏极在衬底基板的正投影不交叠,避免第一结构件与漏极之间产生交叠电容,从而避免对漏极在工作过程中负载的增加,从而避免使用该阵列基板的显示面板出现显示效果不佳的问题。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1所示为本申请实施例提供的阵列基板的一种局部透视图;
图2所示为本申请实施例提供的图1中AA’的一种截面示意图;
图3所示为本申请实施例提供的图1中BB’的一种截面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的