[发明专利]掩膜板、驱动背板及其制备方法、显示面板和拼接屏在审
申请号: | 202111142997.0 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113889415A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 赵雪;谢晓冬;何敏;徐文结;张新秀;桑华煜;杜兆宜 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方瑞晟科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/50;H01L27/15;G03F1/68 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 驱动 背板 及其 制备 方法 显示 面板 拼接 | ||
1.一种驱动背板的制备方法,其特征在于,所述驱动背板具有第一电路走线;所述制备方法包括:
根据参考背板所具有的第二电路走线的图案,制作参考掩膜板,所述参考背板的尺寸大于所述驱动背板的尺寸,所述第二电路走线包括沿第一方向呈周期性排列的多个第一图案;
根据所述驱动背板的尺寸,利用所述参考掩膜板对母板进行拼接曝光,得到第三电路走线,所述第三电路走线所在区域沿所述第一方向的尺寸等于所述第一电路走线所在区域沿所述第一方向的尺寸,所述第三电路走线所在区域沿第二方向的尺寸等于所述第二电路走线所在区域沿所述第二方向的尺寸,所述第一方向和所述第二方向垂直;
对拼接曝光后的母板进行切割,得到所述驱动背板。
2.根据权利要求1所述的驱动背板的制备方法,其特征在于,所述根据所述驱动背板的尺寸,利用所述参考掩膜板对母板进行拼接曝光,包括:
根据所述第一电路走线所在区域沿所述第一方向的尺寸,将所述母板划分出拼接曝光区,所述拼接曝光区沿所述第一方向的尺寸等于所述第一电路走线所在区域沿所述第一方向的尺寸,所述拼接曝光区沿所述第二方向的尺寸等于所述第二电路走线所在区域沿所述第二方向的尺寸;
利用所述参考掩膜板在所述第一方向上移动,对所述拼接曝光区对应所述第一方向的不同位置进行拼接曝光,形成对应所述拼接曝光区不同位置的所述第一电路走线的图案。
3.根据权利要求2所述的背板的制备方法,其特征在于,
所述利用所述参考掩膜板在所述第一方向上移动,对所述拼接曝光区对应所述第一方向的不同位置进行拼接曝光,包括:
将所述拼接曝光区划分为沿所述第一方向依次排布的第一曝光区和第二曝光区,所述第一曝光区和所述第二曝光区相邻,且二者相互靠近的边沿重叠形成拼接线,所述第一电路走线包括对应所述第一曝光区的第二图案和对应所述第二曝光区的第三图案;
利用所述参考掩膜板对应所述第二图案的第一部分对所述第一曝光区进行曝光,利用所述参考掩膜板对应所述第三图案的第二部分对所述第二曝光区进行曝光。
4.根据权利要求3所述的背板的制备方法,其特征在于,
所述利用所述参考掩膜板对应所述第二图案的第一部分对所述第一曝光区进行曝光,利用所述参考掩膜板对应所述第三图案的第二部分对所述第二曝光区进行曝光,包括:
将所述参考掩膜板沿所述第一方向划分为第一区域和第二区域,所述第一区域沿所述第二方向的尺寸大于所述第二图案所在区域沿所述第二方向的尺寸,所述第二区域沿所述第二方向的尺寸大于所述第三图案所在区域沿所述第二方向的尺寸;
将所述参考掩膜板放置于所述母板上,并使所述第一区域与所述第一曝光区正对,遮盖所述参考掩膜板中除所述第一区域以外的其余区域,对所述第一曝光区进行曝光;
平移所述参考掩膜板,使所述第二区域与所述第二曝光区正对,遮盖所述参考掩膜板中除所述第二区域以外的其余区域,对所述第二曝光区进行曝光。
5.根据权利要求3所述的驱动背板的制备方法,其特征在于,
在根据所述驱动背板的尺寸,利用所述参考掩膜板对母板进行拼接曝光之前,还包括:
对所述参考掩膜板的所述第一部分和所述第二部分中沿所述第一方向相互连接,且靠近所述拼接线的图案部在所述第二方向上进行加粗处理。
6.根据权利要求5所述的驱动背板的制备方法,其特征在于,
所述对所述参考掩膜板的所述第一部分和所述第二部分中沿所述第一方向相互连接,且靠近所述拼接线的图案部在所述第二方向上进行加粗处理,发生在根据参考背板的尺寸,制作参考掩膜板的过程中。
7.根据权利要求5所述的驱动背板的制备方法,其特征在于,
对所述参考掩膜板的所述第一部分和所述第二部分中沿所述第一方向相互连接,且靠近所述拼接线的第一图案部在所述第二方向上进行加粗处理,包括:
加大所述第一图案部沿所述第二方向的尺寸,使所述第一图案部在第二方向上的两个边沿分别向两侧移动相同的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造