[发明专利]一种氧化锌复合半导体材料制备方法

权利要求书

1.一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、利用打磨装置对硫铁矿的表面进行打磨处理，并将处理完成的硫铁矿浸泡到盐酸内，对其进行改性处理；

S2、利用球磨机对改性完成的硫铁矿进行处理，实现硫铁矿的粉末化处理，并将粉末添加至由氧化锌粉末、十六烷基三甲基氯化铵和去离子水的混合液内，且形成白色悬浊液；

S3、取多巴胺，将多巴胺溶解在Tris盐酸盐缓冲液中，配制成多巴胺盐酸盐溶液，并将与S2内的白色悬浊液混合，进行搅拌处理，并在室温下静置；

S4、过滤洗涤产物，置于烘箱内烘干，即得一种氧化锌复合半导体材料。

2.根据权利要求1所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述打磨装置包括打磨腔(101)、减速电机(102)、打磨板(103)和侧磨构件，所述打磨腔(101)上固定连接有减速电机(102)，打磨腔(101)上转动连接有打磨板(103)，打磨板(103)与减速电机(102)固定连接，打磨板(103)上固定连接有四个侧磨构件。

3.根据权利要求2所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述侧磨构件包括竖立板(201)、侧磨板(202)和伸缩丝杠(203)，竖立板(201)上滑动连接有侧磨板(202)，侧磨板(202)上转动连接有伸缩丝杠(203)，伸缩丝杠(203)与竖立板(201)通过螺纹传动连接，打磨板(103)上固定连接有四个竖立板(201)。

4.根据权利要求2所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述打磨腔(101)下方的四周均匀设置有四个豁口(301)。

5.根据权利要求4所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述打磨腔(101)上转动连接有遮挡环(302)。

6.根据权利要求2所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述打磨腔(101)上固定连接有支撑构件，支撑构件上固定连接有两个连接座(801)，两个连接座(801)上均固定连接有伸缩杆(802)，两个伸缩杆(802)的内端均转动连接有接触板(803)。

7.根据权利要求6所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：两个所述连接座(801)上均固定连接有限位滑柱(805)，两个限位滑柱(805)均与支撑构件滑动连接。

8.根据权利要求6所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：两个所述接触板(803)上均通过螺纹连接有限位螺栓(804)。

9.根据权利要求6所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述支撑构件上连接有顶靠构件。

10.根据权利要求9所述一种氧化锌复合半导体材料制备方法，其特征在于：所述顶靠构件上固定连接有两个点固构件。