[发明专利]存储器控制器和操作该存储器控制器的方法

说明书

本公开涉及存储器控制器和操作该存储器控制器的方法。一种控制包括存储器块的存储器设备的存储器控制器包括：初始编程控制器，被配置成控制存储器设备对存储器单元之中的至少一个或多个监测存储器单元进行编程，该存储器单元分别连接到与存储器块连接的多个字线之中的监测字线；预读取控制器，被配置成在对存储器块执行读取操作之前，基于对监测存储器单元进行读取的结果，生成监测存储器单元的阈值电压分布的移位信息；以及预编程控制器，被配置成控制存储器设备在将预编程电压施加到多个字线之后，执行读取操作，预编程电压具有根据移位信息而确定的电压电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年3月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2021-0033373的优先权，该申请的整体公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及电子设备，并且更具体地，涉及存储器控制器和操作该存储器控制器的方法。

背景技术

存储设备是在主机设备的控制下存储数据的设备，该主机设备诸如为计算机、智能电话或智能平板计算机。存储设备包括：将数据存储在磁盘中的设备，诸如硬盘驱动器(HDD)；将数据存储在半导体存储器中的设备，诸如固态驱动器(SSD)；或存储器卡，尤其是非易失性存储器。

存储设备可以包括在其中存储数据的存储器设备和将数据存储在存储器设备中的存储器控制器。存储器设备可以分类为易失性存储器和非易失性存储器。这里，非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、相变RAM(PRAM))、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

根据本公开的一个实施例，一种控制包括存储器块的存储器设备的存储器控制器可以包括：初始编程控制器，被配置成控制存储器设备对存储器单元之中的至少一个或多个监测存储器单元进行编程，该存储器单元分别连接到与存储器块连接的多个字线之中的监测字线；预读取控制器，被配置成在对存储器块执行读取操作之前，基于对监测存储器单元进行读取的结果，生成监测存储器单元的阈值电压分布的移位信息；以及预编程控制器，被配置成控制存储器设备在将预编程电压施加到多个字线之后，执行读取操作，预编程电压具有根据移位信息而确定的电压电平。

根据本公开的一个实施例，一种操作存储器控制器(该存储器控制器控制包括存储器块的存储器设备)的方法可以包括：从主机接收与存储器块相对应的编程请求；在与编程请求相对应的编程操作被执行之前，对存储器单元之中的至少一个或多个监测存储器单元进行编程，该存储器单元分别连接到与存储器块连接的多个字线之中的监测字线；从主机接收与存储器块相对应的读取请求；在与读取请求相对应的读取操作被执行之前，对监测存储器单元进行读取；基于对监测存储器单元进行读取的结果，生成监测存储器单元的阈值电压分布的移位信息；以及基于移位信息，确定是否要在读取操作之前对存储器块中包括的存储器单元进行编程。

附图说明

图1是图示存储设备的框图。

图2是图示图1的存储器设备的结构的图。

图3是图示图2的存储器单元阵列的一个实施例的图。

图4是图示图3的存储器块BLK1至BLKz之中的任何一个存储器块BLKa的电路图。

图5是图示图3的存储器块BLK1至BLKz之中的任何一个存储器块BLKb的另一实施例的电路图。

图6图示了感测串中的被编程的存储器单元。

图7图示了在其中执行初始编程操作、预读取操作和预编程操作的处理。

图8图示了在预读取操作中使用的预读取电压。