[发明专利]一种含W低活化高熵合金及其制备方法

权利要求书

1.一种含W低活化高熵合金薄膜，其特征在于：利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)_100-xW_x高熵合金层和单相W层，其中X的取值范围为0≤x≤25％，形成具有不同单层厚度的(TiVCr)_100-xW_x/W纳米多层结构，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得强度、耐热和抗辐照兼具的含W低活化高熵合金薄膜，其中所述的(TiVCr)_100-xW_x高熵合金和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。

2.根据权利要求1所述的含W低活化高熵合金薄膜，其特征在于所述的高熵合金薄膜的总厚度为1-10μm。

3.一种制备如权利要求1所述的含W低活化高熵合金薄膜的方法，其具体步骤如下：

1)选用纯度99.9％以上的TiVCr、W高纯靶材作为溅射靶材；

2)选用单面抛光单晶硅片作为镀膜的衬底，衬底清洗后干燥待用；

3)镀膜前，将真空腔内抽至真空，通入高纯Ar气；

4)开始溅射，设置靶材溅射功率，通过共溅射沉积(TiVCr)_100-xW_x层；

5)再溅射沉积W层；

6)交替沉积(TiVCr)_100-xW_x层与W层，得到纳米多层结构(TiVCr)_100-xW_x/W高熵合金薄膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于(TiVCr)_100-xW_x高熵合金层和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于步骤4)中W掺杂原子百分含量为0-25％。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述的步骤4中共溅射时溅射TiVCr的功率是100-230W，溅射W的功率是20-80W；步骤5中溅射沉积W层功率为90-200W。