[发明专利]一种高功率器件栅电荷提取测试方法

权利要求书

1.一种高功率器件栅电荷提取测试方法，其特征在于，包括：

将高功率测试条件划分成高电流小电压条件和高电压小电流条件，在输出特性曲线I_D-V_DS上提取出高电流小电压条件和高电压小电流条件下的漏电流对应的栅极电压V_GP1和V_GP2；

分别获取输入电容C_ISS随V_GS、V_DS的变化曲线C_ISS-V_GS、C_ISS-V_DS以及米勒电容C_RSS随V_GS、V_DS的变化曲线C_RSS-V_GS、C_RSS-V_DS，其中测试频率为1MHZ，输入的V_GS的范围为0-V_GDR，V_GDR为驱动电压，V_DS的范围为0-V_DD；

选取所述曲线C_ISS-V_GS，计算得到所述高电流小电压条件和高电压小电流条件下的Q_GS和Q’_GS，选取所述曲线C_RSS-V_GS和C_RSS-V_DS，计算得到所述高电流小电压条件和高电压小电流条件下的Q_GD；

将所述Q_GS、Q’_GS和Q_GD进行拼接，得到高功率条件下的栅电荷特性曲线V_GS-Q_G。

2.根据权利要求1所述的一种高功率器件栅电荷提取测试方法，其特征在于：在所述高电压小电流条件下，其电压V_DS选该条件下的电压范围的最大值。

3.根据权利要求1所述的一种高功率器件栅电荷提取测试方法，其特征在于：在所述高电流小电压条件下，其电流I_D选该条件下的电流范围的最大值。

4.根据权利要求1所述的一种高功率器件栅电荷提取测试方法，其特征在于：在输出特性曲线I_D-V_DS上提取出高电流小电压条件和高电压小电流条件下的漏电流对应的栅极电压V_GP1和V_GP2包括：

在输出特性曲线I_D-V_DS上提取出高电流小电压条件和高电压小电流条件下的漏电流对应的电流值I_D1和I_D2，并在输出特性曲线I_D-V_DS的恒流区找到该电流值对应的曲线，读出对应的栅极电压V_GS并定义为V_GP1和V_GP2。

5.根据权利要求1所述的一种高功率器件栅电荷提取测试方法，其特征在于：选取所述曲线C_ISS-V_GS，计算得到所述高电流小电压条件和高电压小电流条件下的Q_GS包括：

运用如下的计算公式计算得到高电流小电压条件和高电压小电流条件下的Q_GS：

式中，Q_GS表示栅源电荷，V_GP为米勒平台电压，C_ISS为输入电容，V_GS表示栅极电压。