[发明专利]一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置及其标定方法在审
申请号: | 202111146063.4 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113884199A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 黄锦标;郭斌 | 申请(专利权)人: | 深圳市海谱纳米光学科技有限公司 |
主分类号: | G01J9/02 | 分类号: | G01J9/02 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 mems 法珀腔 芯片 标定 装置 及其 方法 | ||
1.一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,包括窄波段光发射模块(1),所述窄波段光发射模块(1)的控制端电性连接至处理终端(2),所述窄波段光发射模块(1)的出射端连接有聚焦模块(3),所述聚焦模块(3)的出射端设置有准直器(4),所述准直器(4)的出射端设置有成像传感器(5),所述成像传感器(5)均电性连接至所述处理终端(2),在所述准直器(4)与所述成像传感器(5)之间设置有用于放置所述MEMS法珀腔芯片(6)的空间。
2.根据权利要求1所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,所述窄波段光发射模块(1)包括宽光谱连续光源(11)和单色仪(12),所述宽光谱连续光源(11)的出射端连接所述单色仪(12),所述单色仪(12)的出射端连接所述聚焦模块(3),所述单色仪(12)的控制端连接所述处理终端(2)。
3.根据权利要求1所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,所述窄波段光发射模块(1)为可调谐激光模块(13)。
4.根据权利要求1所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,所述成像传感器(5)阵列设置有多个。
5.根据权利要求4所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,所述聚焦模块(3)为聚焦镜(31),所述准直器(4)的出射端活动对准各个所述MEMS法珀腔芯片(6)。
6.根据权利要求4所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,所述聚焦模块(3)为扩束镜(32),所述准直器(4)的出射端同时对准多个所述MEMS法珀腔芯片(6)。
7.根据权利要求5所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,还包括驱动装置(7),所述驱动装置(7)用于驱动所述准直器(4)往复移动,以使所述准直器(4)分别对准各个所述MEMS法珀腔芯片(6)。
8.根据权利要求5所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置,其特征在于,还包括光纤(8),所述聚焦镜(31)的出射端与所述光纤(8)的入口端耦合,所述光纤(8)的出口端与所述准直器(4)的入射端耦合。
9.一种采用如权利要求1-8中任一项所述标定装置的用于MEMS法珀腔芯片的标定方法,其特征在于,包括:
S1、利用处理终端控制窄波段光发射模块发射出一种中心波长下的窄波段光;
S2、利用聚焦模块和准直器分别对所述窄波段光进行聚焦和准直,然后将所述窄波段光入射到预先摆放好的MEMS法珀腔芯片上产生干涉;
S3、利用成像传感器对所述窄波段光在所述MEMS法珀腔芯片形成的干涉图像进行采集;
S4、利用所述处理终端读取所述干涉图像;
S5、利用所述处理终端控制窄波段光发射模块发射出不同中心波长下的窄波段光,执行上述步骤S2、S3、S4;
S6、重复步骤S5多次;
S7、利用所述处理终端对多个所述窄波段光所形成的所述干涉图像进行组合,从而实现对所述MEMS法珀腔芯片的波长标定。
10.根据权利要求9所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法,其特征在于,所述步骤S2中的所述窄波段光入射到多个所述MEMS法珀腔芯片上,所述步骤S3中的多个所述成像传感器分别对多个所述MEMS法珀腔芯片上形成的多个所述干涉图像进行采集。
11.根据权利要求9所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法,其特征在于,所述步骤S1中的所述窄波段光发射模块包括宽光谱连续光源和单色仪,所述宽光谱连续光源的出射端连接所述单色仪,所述单色仪的出射端连接所述聚焦模块,所述单色仪的控制端连接所述处理终端,其中,所述宽光谱连续光源入射至所述单色仪内并发射窄波段光,利用所述处理终端调整所述单色仪的输出波长,从而发射不同中心波长的窄波段光。
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