[发明专利]一种基于LLC谐振变换器拓扑磁集成的矩阵变压器在审
申请号: | 202111146440.4 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113809904A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 王议锋;陈晨;陈博;陈梦颖;王忠杰;张明智;王浩 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H02M1/12 | 分类号: | H02M1/12;H02M7/04;H02M1/00;H02M3/24 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李素兰 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 llc 谐振 变换器 拓扑 集成 矩阵 变压器 | ||
本发明公开了一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器,包括磁芯及周边排布的绕组,所述磁芯(7)进一步包括四个中柱(1)和四个边柱(2),所述绕组进一步包括原边绕组和副边绕组;其中:每个中柱(1)和每个边柱(2)的周边排布有原边绕组和副边绕组,构成变压器;在中柱(1)中:上边为两层中柱原边绕组(3),下边为四层中柱副边绕组(5);在边柱(2)中:上边为两层边柱原边绕组(4),下边为四层边柱副边绕组(6);中柱(1)和边柱(2)均留有气隙lg1、lg2;对气隙lg1、lg2的控制带来了变压器的漏感和励磁电感相互解耦,从而满足LLC谐振变换器调压时对电感比的需求。与现有技术相比,本发明实现了励磁电感和漏感解耦控制的方案。
技术领域
本发明涉及DC-DC变换器和谐振变换器领域,特别是涉及一种矩阵变压器。
背景技术
LLC谐振变换器具有易于实现的软开关特性和良好的磁集成特性,能够在较窄的频率范围内实现输出电压的高效率宽范围调节,因此被广泛应用于DC-DC降压场合,如微电网、电动汽车和数据中心等。目前,采用变压器的励磁电感代替LLC谐振变换器的并联谐振电感,并通过调节变压器气隙控制励磁电感的大小是一种常见的做法。此外,由于LLC谐振变换器的输出侧通常需要承受低压大电流,采用原边绕组串联、副边绕组并联的方式可以成倍降低副边整流器件的电流应力,矩阵变压器的概念应运而生。
一个四柱的矩阵变压器实际包含四个子变压器,在构成矩阵变压器时每个分立子变压器的磁通两两抵消,因此矩阵变压器的磁通密度更低,体积也更小,有助于实现变换器的高效率和高功率密度。但是矩阵变压器的漏感与它的励磁电感相比非常小且数值不可控,因此对于采用矩阵变压器结构的LLC谐振变换器来说,还需在谐振腔额外串联电感来满足调压的需求。
发明内容
为了解决LLC谐振变换器的串联谐振电感难以与矩阵变压器集成的问题,本发明提出了一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器,利用中心磁柱、边柱的气隙分别控制励磁电感和漏感,以满足LLC变换器调压时对电感比的要求。
本发明利用以下技术方案实现:
一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器,包括磁芯及周边排布的绕组,所述磁芯7进一步包括四个中柱1和四个边柱2,所述绕组进一步包括原边绕组和副边绕组;其中:
每个中柱1和每个边柱的周边排布有原边绕组和副边绕组,构成变压器;
在所述中柱1中:上边为两层中柱原边绕组3,且每层为四匝线圈相互串联,下边为四层中柱副边绕组5;在所述边柱2中:上边为两层边柱原边绕组4,两两并联,且每层为四匝线圈相互串联,下边为四层边柱副边绕组6,两两并联;副边绕组与原边绕组之间留有间距;
所述中柱1和所述边柱2在相应的副边绕组位置处具有两侧向内凹且形状类似1/4圆的空间,用于放置副边绕组,以削弱副边绕组之间的耦合;
所述中柱1和所述边柱2均留有气隙lg1、lg2,且lg1、lg2大小不同;对气隙lg1、lg2的控制带来了变压器的漏感和励磁电感相互解耦,从而满足LLC谐振变换器调压时对电感比的需求。
与现有技术相比,本发明能够达成以下的有益技术效果:
本发明在四柱矩阵变压器的基础上改良了磁芯结构,实现了励磁电感和漏感解耦控制的方案。
附图说明
图1为本发明的一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器结构立体图;
图2本发明的一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器结构俯视图;
图3为本发明的一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器A-A’向剖视截面放大图;
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