[发明专利]一种减小电容器和电池金属箔切刀切削误差的方法有效
申请号: | 202111146699.9 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113981384B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 赵静宜;赵玉清 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陈翠兰 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减小 电容器 电池 金属 箔切刀 切削 误差 方法 | ||
1.一种减小电容器和电池金属箔切刀切削误差的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将金属箔切刀超声波清洗去除油脂,然后脱水和烘干后放入真空室;
(2)开启冷阴极气体离子源,冷阴极气体离子源输入氩气,控制放电电压为500V,引出电压为600V,利用引出的氩离子对真空室中金属箔切刀表面进行离子束抛光处理,处理时间控制在30min;
(3)关掉冷阴极气体离子源,开启电弧离子源,电弧离子源的阴极靶和阳极筒均为石墨,控制电弧放电电压120V,在石墨阴极靶面上产生电弧放电,进而产生碳等离子体;
(4)通过一个引出电极,将碳等离子体中的碳离子引出,进入一个过滤磁场,通过过滤磁场的筛选,再通过一个磁透镜聚焦,形成纯碳离子束流,再通过磁扫描偏转场,在120V负偏压作用下,将纯碳离子束沉积在金属箔切刀上,形成均匀的非晶四面体碳薄膜;
其中,通过一个过滤磁场的筛选,再通过一个磁透镜聚焦,形成纯碳离子束流,进而形成的非晶四面体碳薄膜显微硬度在75GPa以上,SP3含量大于75%,通过磁场扫描技术将纯碳离子束沉积在金属箔切刀上,控制非晶四面体碳薄膜表面粗糙度为0.43纳米,形成均匀分布的非晶四面体碳薄膜,厚度控制在100-200nm。
2.根据权利要求1所述的一种减小电容器和电池金属箔切刀切削误差的方法,其特征在于,步骤(1)中超声波清洗温度为70℃。
3.根据权利要求1所述的一种减小电容器和电池金属箔切刀切削误差的方法,其特征在于,步骤(2)中氩气流量为50毫升/秒。
4.根据权利要求1所述的一种减小电容器和电池金属箔切刀切削误差的方法,其特征在于,步骤(3)中石墨的纯度大于99.99%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111146699.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类