[发明专利]一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述非晶氧化物浮栅晶体管包括底端的衬底(7)，在所述衬底(7)上形成栅电极(6)，在所述栅电极(6)上形成栅绝缘层(5)，在所述栅绝缘层(5)上形成浮栅层(4)，在所述浮栅层(4)上形成隧穿绝缘层(3)，在所述隧穿绝缘层(3)上形成沟道层(2)，在所述沟道层(2)上形成源漏电极(1)。

2.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述源漏电极(1)采用的材质为Al、Cu、Ag中的任意一种，其厚度为20～200nm。

3.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述沟道层(2)采用的材质为非晶金属氧化物铟镓锌氧，其厚度为10～50nm。

4.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述隧穿绝缘介质层(3)采用的材质为Al₂O₃、Si₃N₄、SiO₂单层绝缘薄膜或者是由其中任意两种以上的绝缘膜构成的多层绝缘膜，其厚度为4～20nm。

5.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述浮栅层(4)采用的材质为钙钛矿量子点薄膜，其厚度为5～20nm。

6.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层(5)采用的材质为Al₂O₃、Si₃N₄、SiO₂的单层绝缘薄膜或者是由其中任意两种以上的绝缘膜构成的多层绝缘薄膜，其厚度为10～200nm。

7.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述栅电极(6)为ITO透明导电膜。

8.根据权利要求1所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管，其特征在于，所述衬底(7)为高掺杂硅片、玻璃片或塑料PET。

9.如权利要求1-8所述的一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管的制备方法，其特征在于，具体操作步骤如下所述：

(1)、配置钙钛矿量子点溶液；

(2)、在衬底(7)上依次形成栅电极(6)和栅绝缘层(5)，从而制成基片，后将基片洗净后烘干；

(3)、在基片的栅绝缘层(5)上旋涂配制的钙钛矿量子点溶液，旋涂转速保持在3000r/m，旋涂时间40s，从而形成钙钛矿量子点薄膜层(4)；

(4)、再对衬底(7)、栅电极(6)、栅绝缘层(5)及钙钛矿量子点薄膜层(4)形成的样品进行退火；

(5)、然后，在退火后的钙钛矿量子点薄膜层(4)上沉积隧穿绝缘介质层(3)；

(6)、在隧穿绝缘介质层(3)上利用掩膜版溅射铟镓锌氧薄膜沟道层(2)，并真空蒸镀上源漏电极(1)，从而最终制成含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管。