[发明专利]一种太阳能电池的制造方法及其制造装置有效

专利信息
申请号: 202111148814.6 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN113903830B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 雷仲礼 申请(专利权)人: 德鸿半导体设备(浙江)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/67;H01L21/203;H01L21/205
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 314499 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制造 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制造装置,其特征在于,包括:

运输腔,所述运输腔内设有纵向形状的传输轨道,所述纵向形状的传输轨道具有位于所述传输轨道两侧的第一侧和第二侧;

可移动框架并且具有框架开口;

薄膜粘附到可移动框架并且具有多个薄膜开口,框架开口暴露多个薄膜开口,每个薄膜开口暴露附接至薄膜的对应基片,薄膜具有多个薄膜开口,多个薄膜开口中的每个薄膜开口处均设置一个基片。

2.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括前薄膜站;

所述前薄膜站具有位于所述传输轨道的第一侧上的第一电极,并且第二电极位于所述传输轨道的第二侧上,所述第一电极和所述第二电极被配置为朝向所述传输轨道移动以形成容纳所述基片的封闭空间。

3.根据权利要求2所述的制造装置,其特征在于,所述前薄膜站被配置为在基片的第一表面上形成前薄膜层。

4.根据权利要求2所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括背薄膜站;

所述背薄膜站具有位于所述传输轨道的所述第二侧上的第一电极,以及位于所述传输轨道的所述第一侧上的第二电极,所述背薄膜站的所述第一电极和所述背薄膜站的所述第二电极被配置为朝向所述传输轨道移动以形成容纳所述基片的封闭空间。

5.根据权利要求4所述的制造装置,其特征在于,所述背薄膜站被配置为在所述基片的背表面上形成背薄膜层。

6.根据权利要求5所述的制造装置,其特征在于,所述前薄膜站被配置成在所述背薄膜站形成所述背薄膜层之前形成所述前薄膜层。

7.根据权利要求5所述的制造装置,其特征在于,所述背薄膜站被配置为在所述前薄膜站形成所述前薄膜层之前形成所述背薄膜层。

8.根据权利要求5所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括制备站和制绒站;

其中,所述制备站和所述制绒站都被布置在所述前薄膜站和所述背薄膜站之前,并且所述制绒站被配置为在所述基片的前表面和后表面上提供纹理化处理。

9.根据权利要求5所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括磁控溅射站,所述磁控溅射站被配置成在所述基片由所述前薄膜站和所述背薄膜站处理之后处理所述基片。

10.根据权利要求9所述的制造装置,其特征在于,所述磁控溅射站包括第一磁控溅射设备和第二磁控溅射设备。

11.根据权利要求10所述的制造装置,其特征在于,第一磁控溅射设备被配置为面对基片的第一表面,并且被配置为在基片的第一表面上形成前导电层。

12.根据权利要求11所述的制造装置,其特征在于,所述第二磁控溅射设备被配置为面对所述基片的背表面,并且被配置为在所述基片的所述背表面上形成背导电层。

13.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括隔离栅站,该隔离栅站配置用于分别在相邻基片之间的薄膜的第一表面和后表面上布置隔离栅格器件。

14.根据权利要求8所述的制造装置,其特征在于,所述制绒站包括干蚀刻设备。

15.根据权利要求14所述的制造装置,其特征在于,所述制绒站位于准备站和前/背薄膜站之间。

16.根据权利要求13所述的制造装置,其特征在于,所述隔离栅格器件的材料包括导体材料和/或胶带材料。

17.根据权利要求9所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括冲压站,所述冲压站被配置为在相邻基片之间形成穿过所述薄膜的通孔。

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