[发明专利]一种二维Bi2在审

申请号：	202111149055.5	申请日：	2021-09-29
公开（公告）号：	CN113690145A	公开（公告）日：	2021-11-23
发明（设计）人：	陈翔;戴晨东;熊云海;许多;李志	申请（专利权）人：	南京理工大学
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/02;H01L21/465;H01L29/24;H01L29/772
代理公司：	上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374	代理人：	李兰兰
地址：	210094 江苏省南***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
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【权利要求书】：

1.一种二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：

通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi₂O₂Se薄膜；

采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi₂O₂Se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4×10^-4Pa，射频功率为120W，中和器电流为500mA，离子束电流的范围为从80mA到100mA，离子束电压的范围为从200V到280V，Ar流量为10sccm，O₂流量为6sccm，刻蚀时间为6-20秒。

2.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第一衬底为云母片。

3.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，执行所述采用等离子体刻蚀工艺对所述二维Bi₂O₂Se薄膜进行刻蚀步骤之前，将所述二维Bi₂O₂Se薄膜转移至第二衬底上；

所述第二衬底为SiO₂/Si衬底，Au/Si衬底或含有金属标记的SiO₂/Si衬底。

4.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，刻蚀次数可以为一次或多次。

5.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第一厚度的范围为5-20nm。

6.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，对所述二维Bi₂O₂Se薄膜进行刻蚀，包括：

将所述二维Bi₂O₂Se薄膜放置于反应离子刻蚀设备的样品台上；

使所述样品台以第一转速和第一角度旋转。

7.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，若所述第一厚度为5-10nm，所述离子束流为80mA，所述离子束电压为200V。

8.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，若所述第一厚度为10-20nm，所述离子束流为100mA，所述离子束电压为280V。

9.根据权利要求6所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第一转速为10rpm，所述第一角度为-30°。

10.根据权利要求1所述的二维Bi₂O₂Se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第二厚度的范围为2.5-20nm。