[发明专利]制造电声换能器的方法

权利要求书

1.制造电声换能器(1)的方法，该电声换能器包括：

-框架；

-相对于框架可移动的元件(13)，该可移动元件(13)包括膜片(131)和用于使膜片刚性化的结构(132)；

-第一传输臂(141)，可移动元件(13)耦合到第一传输臂(141)的端部；

该方法包括下列步骤：

-提供依次地包括衬底(21)、第一牺牲层(22)和第一结构层(23)的堆栈(20)，(S1)；

-在第一结构层(23)上形成第二牺牲层(24)，第二牺牲层(24)包括第一分离部分(24a)和第二分离部分(24b),(S2)；

-在第一结构层(23)和第二牺牲层(24)上形成第二结构层(25),(S3)；

-蚀刻第二结构层(25)，以暴露第二牺牲层(24)的第一部分(24a)，并且以界定可移动元件(13)的刚性结构(132)，第二牺牲层(24)的第二部分(24b)被刚性结构(132)包封,(S4)；

-蚀刻第一结构层(23)到第一牺牲层(22)，以界定可移动元件(13)的膜片(131)，(S4)；

-蚀刻第二牺牲层(24)的第一部分(24a)，以暴露膜片(131)的第一面，并且以蚀刻第一牺牲层(22)的一部分，从而形成在刚性结构(132)下方延伸的空腔(22’)，(S5)；

-蚀刻衬底(21)，以界定第一传输臂(141)和以在开口到空腔中时，至少部分地释放可移动元件(13)，第一牺牲层(22)和第二牺牲层(24)的第二部分(24b)用作蚀刻的停止层，(S7)；

-蚀刻第一牺牲层(22)，以暴露膜片(131)的第二相对面，(S8)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第二牺牲层(24)的第二部分(24b)围绕可移动元件(13)的膜片(131)延伸超过80％所述可移动元件(13)的周边。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中所述第二牺牲层(24)还包括与所述第一部分(24a)和第二部分(24b)分离的第三部分(24c)，布置所述第二牺牲层的第三部分，使得在蚀刻第二结构层(25)的步骤(S4)后，其被第二结构层(25)的剩余部分包封，在蚀刻衬底(21)的步骤(S7)期间，第二牺牲层(24)的第三部分(24c)也用作停止层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二牺牲层(24)的第三部分(24c)位于所述第一传输臂(141)的位置与所述刚性结构(132)的周边之间的交叉附近。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中同时地蚀刻所述第一结构层(23)和所述第二结构层(25)，以界定可移动元件(13)的所述膜片(131)和所述刚性结构(132)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，在蚀刻第一牺牲层(22)和第二牺牲层(24)的步骤(S5)后，以及在蚀刻衬底(21)的步骤(S7)之前，还包括下列步骤：

-在第二结构层(25)上布置覆盖物(26)，由此形成组件；和

-翻转组件，(S6)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述堆栈(20)是绝缘体上硅(SOI)类型的多层结构。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述衬底(21)由硅制成，所述第一牺牲层(22)由氧化硅制成，并且所述第一结构层(23)由硅制成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述第二牺牲层(24)由氧化硅制成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述第一结构层(23)具有包括在100nm和10μm之间的厚度。