[发明专利]半导体模块在审
申请号: | 202111150119.3 | 申请日: | 2021-09-29 |
公开(公告)号: | CN114373724A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 吉见俊二;竹松佑二;山口幸哉;上嶋孝纪;后藤聪;荒屋敷聪 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭忠健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 | ||
1.一种半导体模块,具备:
第一部件,具有彼此朝向相反方向的下表面和顶面;
第一导体突起,设置于上述第一部件的下表面;
第二部件,接合于上述第一部件的下表面,在俯视下与上述第一部件相比小,且在内部包含半导体元件;
第二导体突起,设置于上述第二部件,与上述第一导体突起向同一方向突出;
模块基板,上述第一部件以及上述第二部件经由上述第一导体突起以及上述第二导体突起安装于上述模块基板;
密封材料,配置于上述模块基板的安装有上述第一部件以及上述第二部件的面上,覆盖上述第一部件的表面的至少一部分的区域,且具有与上述第一部件的顶面朝向同一方向的顶面、以及与顶面连续的侧面;以及
金属膜,设置于上述密封材料的顶面和侧面、以及上述模块基板的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
上述第一部件的顶面从上述密封材料露出,上述金属膜与上述第一部件的顶面接触。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其中,
上述第一部件的侧面的一部分的区域从上述密封材料露出,上述金属膜与上述第一部件的露出的侧面接触。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其中,
上述第二部件中包含的半导体元件构成功率放大器,
上述第一部件包含功率放大器控制电路,上述功率放大器控制电路控制上述功率放大器的工作,
还具备部件间连接布线,上述部件间连接布线配置于上述第一部件的下表面以及上述第二部件的下表面上,将上述功率放大器与上述功率放大器控制电路电连接。
5.根据权利要求4所述的半导体模块,其中,
上述功率放大器控制电路包含单质半导体系的半导体元件,包含于上述第二部件的半导体元件由化合物半导体形成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体模块,其中,
上述模块基板包含配置于内层的接地平面,上述接地平面在上述模块基板的侧面与上述金属膜连接。
7.根据权利要求6所述的半导体模块,其中,
上述模块基板具有多个连接端子,上述多个连接端子设置于与安装有上述第一部件以及上述第二部件的面相反的一侧的面,上述多个连接端子中的至少一个连接端子与上述接地平面连接。
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