[发明专利]基准源产生电路以及正温度系数电流产生电路

权利要求书

1.一种基准源产生电路，其特征在于，所述基准源产生电路包括：

负温度系数模块，用以提供具有负温度系数的第一电压；

正温度系数模块，与所述负温度系数模块电连接，且具有电流复制单元、正温度系数电流产生单元以及钳位单元，所述正温度系数模块用以提供具有正温度系数的第二电压；以及，

基准源输出端，用于输出由所述第一电压以及所述第二电压叠加而具有零温度系数的基准电压；

其中，所述电流复制单元与所述正温度系数电流产生单元之间具有第一节点以及第二节点，所述钳位单元设置于所述第二节点与所述电流复制单元之间，所述钳位单元用以使所述第一节点和所述第二节点具有相等的电压。

2.根据权利要求1所述的基准源产生电路，其特征在于，所述钳位单元包括原生NMOS晶体管，所述原生NMOS晶体管的阈值电压为零，其中，所述原生NMOS晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述原生NMOS晶体管的源极与所述第二节点电连接，所述原生NMOS晶体管的漏极与所述电流复制单元电连接。

3.根据权利要求2所述的基准源产生电路，其特征在于，所述基准源产生电路还包括启动模块，所述启动模块包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中：

所述第一PMOS晶体管的源极接至电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极与所述电流复制单元电连接，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的栅极以及所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极电连接；

所述第二PMOS晶体管的源极接至电源电压，所述第二PMOS晶体管的漏极与所述原生NMOS晶体管的栅极电连接；

所述第一NMOS晶体管的源极接地。

4.根据权利要求3所述的基准源产生电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管具有第一宽长比，所述第一NMOS晶体管具有第二宽长比，其中，所述第一宽长比大于所述第二宽长比。

5.根据权利要求2所述的基准源产生电路，其特征在于，所述正温度系数模块包括第一三极管、第二三极管和第二电阻，其中：

所述第一三极管的集电极和基极共同电连接至第一节点；

所述原生NMOS晶体管的栅极与所述第一三极管的基极以及第二三极管的基极电连接；

所述第二三极管的集电极为所述第二节点。

6.根据权利要求1所述的基准源产生电路，其特征在于，所述基准源产生电路还包括启动模块，所述启动模块包括第三PMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，其中：

所述第三PMOS晶体管的栅极和漏极电连接，并与所述第二NMOS晶体管的漏极以及所述第三NMOS晶体管的栅极电连接，所述第三PMOS晶体管的源极接至电源电压；

所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述基准源输出端，所述第二NMOS晶体管的源极接地；

所述第三NMOS晶体管的漏极与所述电流复制单元电连接，所述第三NMOS晶体管的源极接地。

7.根据权利要求1所述的基准源产生电路，其特征在于，所述基准源产生电路还包括启动模块，所述启动模块包括第一电阻、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管，其中：

所述第一电阻的一端接至电源电压，另一端与所述第四NMOS晶体管的栅极以及所述第五NMOS晶体管的漏极电连接；

所述第四NMOS晶体管的漏极与所述电流复制单元电连接，所述第四NMOS晶体管的源极与所述第六NMOS晶体管的栅极和漏极电连接；

所述第五NMOS晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第五NMOS晶体管的源极以及所述第六NMOS晶体管的源极接地。

8.一种正温度系数电流产生电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路包括第一三极管、第二三极管、第二电阻和原生NMOS晶体管，其中：

所述第一三极管的集电极和基极电连接；

所述原生NMOS晶体管的栅极与所述第一三极管的基极以及第二三极管的基极电连接，所述原生NMOS晶体管的源极与所述第二三极管的集电极电连接。