[发明专利]主动元件及其制造方法

说明书

一种主动元件及其制造方法。主动元件包括基板、切换底栅极、驱动底栅极、第一栅绝缘层、切换通道、驱动通道、第二栅绝缘层、切换顶栅极与驱动顶栅极。切换底栅极与驱动底栅极配置于基板上。第一栅绝缘层配置于基板上且覆盖切换底栅极与驱动底栅极。切换通道与驱动通道配置于第一栅绝缘层上。驱动通道具有一低电位端。低电位端电性连接驱动底栅极。第二栅绝缘层配置于第一栅绝缘层上且覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。切换顶栅极与驱动顶栅极配置于第二栅绝缘层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。

技术领域

本发明涉及一种元件及其制造方法，且特别涉及一种主动元件及其制造方法。

背景技术

发光元件阵列显示装置是由设置于基板上的阵列排列的多个发光元件构成。继承目前的发光元件的特性，发光元件阵列显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。为了驱动发光元件，目前常采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)薄膜晶体管作为驱动元件，并搭配氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)薄膜晶体管作为切换元件。然而，若所使用的低温多晶硅薄膜晶体管的次临界摆幅(subthresholdswing)较低，则在显示的亮度值较低时容易因为电流的变化而使亮度变化，降低显示品质。此外，若所使用的氧化铟镓锌薄膜晶体管的次临界摆幅较高，则切换速度较慢，会有画面迟滞的现象。

发明内容

本发明提供一种主动元件及其制造方法，可改善显示品质不佳的现象。

本发明的主动元件包括一基板、一切换底栅极、一驱动底栅极、一第一栅绝缘层、一切换通道、一驱动通道、一第二栅绝缘层、一切换顶栅极与一驱动顶栅极。切换底栅极与驱动底栅极配置于基板上。第一栅绝缘层配置于基板上且覆盖切换底栅极与驱动底栅极。切换通道与驱动通道配置于第一栅绝缘层上。驱动通道具有一低电位端。低电位端电性连接驱动底栅极。第二栅绝缘层配置于第一栅绝缘层上且覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。切换顶栅极与驱动顶栅极配置于第二栅绝缘层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。

在本发明的一实施例中，第二栅绝缘层的厚度大于等于第一栅绝缘层的厚度的4倍。

在本发明的一实施例中，第二栅绝缘层的厚度等于第一栅绝缘层的厚度的5倍。

在本发明的一实施例中，切换通道的材质是氧化铟镓锌(Indium-Gallium-ZincOxide,IGZO)。

在本发明的一实施例中，驱动通道的材质是低温多晶硅。

在本发明的一实施例中，第一栅绝缘层在切换底栅极与切换通道之间的部分的厚度等于第一栅绝缘层在驱动底栅极与驱动通道之间的部分的厚度。

在本发明的一实施例中，第二栅绝缘层在切换底栅极与切换通道之间的部分的厚度等于第二栅绝缘层在驱动底栅极与驱动通道之间的部分的厚度。

在本发明的一实施例中，切换通道的一部分掺杂有氢离子。

在本发明的一实施例中，驱动通道的一部分掺杂有磷离子或砷离子。

在本发明的一实施例中，主动元件还包括一保护层，配置于第二栅绝缘层上且覆盖切换顶栅极与驱动顶栅极。

本发明的主动元件的制造方法包括下列步骤。在一基板上形成一切换底栅极与一驱动底栅极。在基板上形成一第一栅绝缘层。第一栅绝缘层覆盖切换底栅极与驱动底栅极。在第一栅绝缘层上形成一切换通道与一驱动通道。在第一栅绝缘层上形成一第二栅绝缘层。第二栅绝缘层覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。在第二栅绝缘层上形成一切换顶栅极与一驱动顶栅极，并使切换顶栅极电性连接切换底栅极，使驱动通道的一低电位端电性连接驱动底栅极。

在本发明的一实施例中，第二栅绝缘层的厚度被形成为大于等于第一栅绝缘层的厚度的4倍。