[发明专利]一种在基底上形成图案化金属膜的方法和系统在审

专利信息
申请号: 202111152081.3 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN113930707A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: N·扎莫什奇克 申请(专利权)人: 奥雷尔科技有限公司
主分类号: C23C4/134 分类号: C23C4/134;C23C4/02;C23C4/06;H05H1/26
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 黄琳娟
地址: 以色列*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 基底 形成 图案 金属膜 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种在基底上形成图案化金属薄膜的方法,包括:

将油墨组合物涂覆在预处理后的基底的表面上,其中所述油墨组合物是包含至少两种类型的溶剂的混合物的溶液,该油墨组合物至少包含金属阳离子和至少一种用于增加所述油墨组合物的粘度的添加剂,该添加剂选自由有机分子、聚合物、导电聚合物、碳纳米管、增稠剂、表面活性剂组成的组;和

至少将涂覆在所述基底上的油墨组合物暴露于低能量等离子体中,其中,根据第一组暴光参数操控所述低能量等离子体;其中所述至少两种类型的溶剂包含至少高表面张力的溶剂和低表面张力的溶剂,所述高表面张力的溶剂是二醇基溶剂或二甲基亚砜(DMSO),所述低表面张力的溶剂是醇基溶剂,其中所述金属阳离子选自由M(NO3)n、M(SO4)n、MCln和HmMCln+m组成的组,其中“M”是化合价为“n”的金属原子,H是氢,NO3是硝酸根,SO4是硫酸根,Cl是氯,“m”是反离子的化合价。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述基底是有机基底、陶瓷基底、硅基底、无机基底、有机-无机杂化基底和玻璃基底中的任一种。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述基底是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底、聚酰亚胺基底和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基底中的任一种。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述低能量等离子体是惰性气体等离子体。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述惰性气体等离子体至少包括氩等离子体和氮等离子体中的任一种。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述低能量等离子体是大气等离子体和低压等离子体中的任一种。

7.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一组暴光参数包括无线电频率(RF)、功率、气体流量和暴光时间中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述RF频率在50Hz和5GHz之间,包括端点。

9.根据权利要求7所述的方法,其中所述功率在5瓦(W)和600W之间,包括端点。

10.根据权利要求7所述的方法,其中所述气体流量在每分钟2标准立方厘米(SCCM)和每分钟50SCCM之间,包括端点。

11.根据权利要求7所述的方法,其中所述暴光时间在1秒和5分钟之间,包括端点。

12.根据权利要求1所述的方法,其中涂覆所述油墨组合物的方法包括滴涂、旋涂、喷涂、浸渍、柔版印刷、凹版印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷和接触压印中的至少任一种。

13.根据权利要求6所述的方法,其中至少将涂覆在所述基底上的油墨组合物暴露于所述低能量等离子体中还包括:将所述基底放置于真空室中。

14.根据权利要求6所述的方法,其中至少将涂覆在所述基底上的油墨组合物暴露于所述低能量等离子体中还包括:使用大气等离子体射流和大气等离子体喷涂中任一种。

15.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在所述预处理后的基底的表面上涂覆具有空隙区域的掩模;和

将所述油墨组合物涂覆在所述掩模的空隙区域中,其中所述空隙区域是图案化的。

16.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将所述基底以预定的循环次数重复暴露于低能量等离子体中,其中在每次循环中,将第一组暴光参数的至少一个暴光参数进行不同设置。

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