[发明专利]阵列基板和显示面板在审
申请号: | 202111152323.9 | 申请日: | 2021-09-29 |
公开(公告)号: | CN113805395A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 林幼煌;湛志明 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
显示区和围绕所述显示区的非显示区;
多个像素,设置在所述显示区,其中每一所述像素包含沿着列方向排列的第一子像素和第二子像素,以及所述多个像素包含多个像素行和多个像素列,并且在每一所述像素行中,相邻的第一子像素行和第二子像素行之间具有第一间隔;
多条数据线,沿着所述列方向延伸,且与所述多个像素列连接;
多条栅极线,沿着行方向延伸,且与所述多个像素行连接,其中每一所述栅极线设置在对应的所述第一间隔中;
多条共享电极线,沿着所述行方向延伸,并且每一所述共享电极线设置在对应的所述第一间隔中,且与对应的所述栅极线相邻;
多条公共电极线,其中每一所述公共电极线设置在两相邻的所述第一间隔之间;以及
共享电极总线,沿着所述列方向延伸,设置在所述非显示区,且与所述多条共享电极线连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多条栅极线、所述多条共享电极线和所述多条公共电极线设置在第一金属层。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述共享电极总线设置在所述第一金属层。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述多条共享电极线和所述共享电极总线设置在不同层,且所述共享电极总线和所述多条数据线设置在第二金属层。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包含多个修复电极,所述多个修复电极与所述多条公共电极线连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包含基底板,以及在其中之一所述像素中,所述第一子像素包含第一像素电极,所述第二子像素包含第二像素电极;以及
所述第一像素电极和所述第二像素电极在所述基底板上的正投影分别与至少一所述修复电极的正投影重叠。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包含基底板,以及所述多条共享电极线在所述基底板上的正投影和所述多条公共电极线在所述基底板上的正投影彼此不重叠。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在其中之一所述像素中,所述像素包含共享薄膜晶体管,所述第一子像素包含第一薄膜晶体管和第一像素电极,以及所述第二子像素包含第二薄膜晶体管和第二像素电极;
所述共享薄膜晶体管、所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极连接同一所述栅极线;
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极连接同一所述数据线;
所述第一薄膜晶体管的漏极连接至所述第一像素电极,以及所述第二薄膜晶体管的漏极连接至所述第二像素电极;
所述共享薄膜晶体管的漏极连接至所述第二薄膜晶体管的所述漏极,所述共享薄膜晶体管的源极连接至其中之一所述共享电极线,与所述共享薄膜晶体管的所述栅极和所述源极分别连接的所述栅极线和所述共享电极线设置在同一所述第一间隔中。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,两相邻的所述像素行之间具有第二间隔;
每一所述公共电极线包含主电极和多个梳状电极;
所述主电极沿着所述行方向延伸,且设置在对应的所述第二间隔之间;
所述多个梳状电极沿着所述列方向延伸,且朝至少一相邻的所述第一间隔延伸;以及
所述阵列基板还包含公共电极总线,沿着所述列方向延伸,设置在所述非显示区,且与每一所述主电极连接。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包含:
如权利要求1-9任一项所述的阵列基板;
彩膜基板,与所述阵列基板相对设置;以及
液晶层,设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
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