[发明专利]晶硅切割方法

说明书

本申请实施例涉及光伏技术领域，公开了一种晶硅切割方法，在切割晶硅体之前，包括如下步骤：将辅材板通过粘胶层固定在晶硅体上；其中，辅材板包括层叠设置的第一材料板和第二材料板，第一材料板与粘胶层固定，第一材料板的邵氏硬度为85度至95度，第一材料板的厚度为0.1毫米至7毫米。本申请实施例提供的晶硅切割方法有利于提高晶硅的切割效率。

技术领域

本申请实施例涉及光伏技术领域，特别涉及一种晶硅切割方法。

背景技术

当前能源需求巨大，传统能源由于储量有限、不利于环保等问题，需求逐步下降，而清洁低成本能源的需求与日俱增，在清洁能源中，太阳能光伏具有高效低成本优势，较其他风能、潮汐能等拥有更大的发展前景。

在太阳能光伏领域中，主要使用到晶硅等材料来制作太阳能电池，晶硅作为一种性能优异的半导体材料，被广泛地应用在太阳能光伏电池板中，其能够达到较高的能量转换效率。原始硅料可以在铸锭炉内生产成为多晶硅锭，或者在单晶炉内通过直拉法拉制单晶，然后可以对制备好的硅棒进行切片。

在晶硅切片工序里，硅棒通常固定在切片机台的内部顶端，金刚线缠绕在切片机台内的主辊上。在切割过程中，金刚线在主辊的带动下高速转动，通过使硅棒下降挤压金刚线，达到切割硅棒以产出硅片的目的，但是目前的硅棒在切割时，切割时间较长，不利于提高晶硅的切割效率。

发明内容

本申请实施方式的目的在于提供一种晶硅切割方法，有利于提高晶硅的切割效率。

为解决上述技术问题，本申请的实施方式提供了一种晶硅切割方法，在切割晶硅体之间，包括如下步骤：

将辅材板通过粘胶层固定在所述晶硅体上；

其中，所述辅材板包括层叠设置的第一材料板和第二材料板，所述第一材料板与所述粘胶层固定，所述第一材料板的邵氏硬度为85度至95度，所述第一材料板的厚度为0.1毫米至7毫米；和/或

所述粘胶层包括位于同一平面上的第一粘胶层和两个第二粘胶层，两个所述第二粘胶层沿第一方向相对设置在所述第一粘胶层的两侧，两个所述第二粘胶层的邵氏硬度为80度至100度。

本申请实施方式提供的晶硅切割方法，通过在辅材板中采用邵氏硬度为85度至95度的第一材料板，或者通过在粘胶层中采用邵氏硬度为80度至100度的第二粘胶层，或者通过同时在辅材板中采用邵氏硬度为85度至95度的第一材料板和在粘胶层中采用邵氏硬度为80度至100度的第二粘胶层，来达到使第一材料板的邵氏硬度和/或第二粘胶层的邵氏硬度接近晶硅体的邵氏硬度，从而减缓在切割过程中由于出现硬度的突变而引起金刚线的线弓现象，也就无需在金刚线进入晶硅体切割的收尾阶段时降低晶硅体的下降速度，进而提高了晶硅的切割效率。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是硅棒在切片加工时的示意图；

图2是金刚线在切割至硅棒收尾阶段时、出现线弓现象的示意图；

图3是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第一种晶硅体切片结构的爆炸图；

图4是图3所示晶硅体切片结构中辅材板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第二种晶硅体切片结构的爆炸图；

图6是图5所示晶硅体切片结构中粘胶层的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第三种晶硅体切片结构的爆炸图；

图8是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第四种晶硅体切片结构的爆炸图；