[发明专利]一种单刀双掷射频开关

权利要求书

1.一种单刀双掷射频开关，其特征在于，设置有ANT天线输入端口，通过所述ANT天线输入端口连接有TX-ANT通道、ANT-RX通道和静电泄放通道；所述TX-ANT通道和ANT-RX通道都包括一个串联枝节和并联枝节；

所述ANT天线输入端口分别连接TX-ANT通道和ANT-RX通道的串联枝节后，通过各自连接的串联枝节再与对应的并联枝节连接后引出对应的TX端口和RX端口；

所述TX-ANT通道的串联枝节中包括n个串联的晶体管，TX-ANT通道的并联枝节中包括m个串联的晶体管；所述ANT-RX通道的串联枝节中包括m个串联的晶体管，ANT-RX通道的并联枝节中包括n个串联的晶体管；所述TX-ANT通道的串联枝节和ANT-RX通道的并联枝节中的晶体管的栅极连接逻辑控制电平VC；所述TX-ANT通道的并联枝节和ANT-RX通道的串联枝节的晶体管的栅极连接逻辑控制电平NVC；所述逻辑控制电平VC与逻辑控制电平NVC之间幅度相等，相位相差180°；

所述静电泄放通道设置三组，每组静电泄放通道的输出端接地，一组静电泄放通道的输入端搭接在ANT天线输入端口上，一组静电泄放通道的输入端搭接在TX端口上，一组静电泄放通道的输入端搭接在RX端口上；

所述静电泄放通道包括晶体管M1-晶体管Mk，共k组晶体管，k组晶体管之间通过彼此的源极和漏极进行串联；所述k的数值等于所述数值m和数值n中较大的一个数值；

在所述晶体管M1的源极以及晶体管Mk的漏极上都分别搭接有一个电容C；每个所述电容C的两端都搭接有并联的两个二极管组；一个所述二极管组中包括多个方向一致的二极管，一个电容C对应的两组二极管组的组间方向相反；

所述晶体管M1-晶体管Mk的栅极都连接逻辑控制低电平VC1；

连接在晶体管M1的源极上的电容C的输入端即为所述静电泄放通道的输入端，连接在晶体管Mk的漏极上的电容C的输出端即为所述静电泄放通道的输出端；

所述TX-ANT通道的串联枝节设置有晶体管M11-晶体管M1n共n个晶体管，n个晶体管之间通过彼此的源极和漏极进行串联，所述晶体管M11的源极与所述ANT天线输入端口连接，所述晶体管M1n的漏极连接TX-ANT通道的并联枝节

在TX-ANT通道的串联枝节中设置有n+1个晶体管等压电阻R1、n个晶体管稳定电阻R2和n个电平稳定电阻Rb；

有n-1个晶体管等压电阻R1分别搭接在所述晶体管M11-晶体管M1n的源极与漏极之间，还有两个晶体管等压电阻R1分别搭接在晶体管M11的源极以及晶体管M1n的漏极上；然后TX-ANT通道的串联枝节的n+1个晶体管等压电阻R1之间搭接在一起；

n个所述晶体管稳定电阻R2分别对应搭接在晶体管M11-晶体管M1n的栅极上，然后与逻辑控制电平VC连接；

n个所述电平稳定电阻Rb接地后分别对应连接在晶体管M11-晶体管M1n的体端；

所述TX-ANT通道的并联枝节设置有晶体管N11-晶体管N1m共m个晶体管，m个晶体管之间通过彼此的源极和漏极进行串联后通过晶体管N11的漏极并联搭接在TX-ANT通道上；

在所述TX-ANT通道的并联枝节中设置有m个晶体管等压电阻R1、m个晶体管稳定电阻R2和m个电平稳定电阻Rb；

m个所述晶体管等压电阻R1分别对应搭接在晶体管N11-晶体管N1m的一个晶体管的源极和漏极上；

m个所述晶体管稳定电阻R2分别对应搭接在晶体管N11-晶体管N1m的一个晶体管的栅极上，然后与逻辑控制电平NVC连接；

m个所述电平稳定电阻Rb接地后分别对应搭接在晶体管N11-晶体管N1m的一个晶体管的的体端；

所述TX-ANT通道的并联枝节中还设置有固定电阻R3，所述固定电阻R3接地后与晶体管N1m的源极连接，所述固定电阻R3的阻值为50欧姆；

所述ANT-RX通道的串联枝节设置有晶体管M21-晶体管M2m共m个晶体管，m个晶体管之间通过彼此的源极和漏极进行串联，所述晶体管M21的源极与所述ANT天线输入端口连接，所述晶体管M2m的漏极连接ANT-RX通道的并联枝节

在ANT-RX通道的串联枝节中设置有m+1个晶体管等压电阻R1、m个晶体管稳定电阻R2和m个电平稳定电阻Rb；

有m-1个晶体管等压电阻R1分别搭接在所述晶体管M21-晶体管M2m的源极与漏极之间，还有两个晶体管等压电阻R1分别搭接在晶体管M21的源极以及晶体管M2m的漏极上；然后ANT-RX通道的串联枝节的m+1个晶体管等压电阻R1之间搭接在一起；

m个所述晶体管稳定电阻R2分别对应搭接在晶体管M21-晶体管M2m的栅极上，然后与逻辑控制电平VC连接；

m个所述电平稳定电阻Rb接地后分别对应连接在晶体管M21-晶体管M2m的体端；

所述ANT-RX通道的并联枝节设置有晶体管N21-晶体管N2n共n个晶体管，n个晶体管之间通过彼此的源极和漏极进行串联后通过晶体管N21的漏极并联搭接在ANT-RX通道上；

在所述ANT-RX通道的并联枝节中设置有n个晶体管等压电阻R1、n个晶体管稳定电阻R2和n个电平稳定电阻Rb；

n个所述晶体管等压电阻R1分别对应搭接在晶体管N21-晶体管N2n的一个晶体管的源极和漏极上；

n个所述晶体管稳定电阻R2分别对应搭接在晶体管N21-晶体管N2n的一个晶体管的栅极上，然后与逻辑控制电平NVC连接；

n个所述电平稳定电阻Rb接地后分别对应搭接在晶体管N21-晶体管N2n的一个晶体管的的体端；

所述ANT-RX通道的并联枝节中还设置有固定电阻R3，所述固定电阻R3接地后与晶体管N2n的源极连接，所述固定电阻R3的阻值为50欧姆；

每个所述静电泄放通道中还设置有k+1个晶体管等压电阻R1、k个晶体管稳定电阻R2和k个电平稳定电阻Rb；

有k-1个晶体管等压电阻R1分别搭接在所述晶体管M1-晶体管Mk的源极与漏极之间，还有两个晶体管等压电阻R1分别搭接在晶体管M1的源极以及晶体管Mk的漏极上；

k个所述晶体管稳定电阻R2分别对应搭接在晶体管M1-晶体管Mk的栅极上，然后与逻辑控制低电平VC1连接；

k个所述电平稳定电阻Rb接地后分别对应连接在晶体管M1-晶体管Mk的体端；

所述ANT-RX通道还设置有两个电容C1，两个电容C1分别设置在所述ANT-RX通道上与ANT天线输入端口连接的一侧以及RX端口的一侧；

所述TX-ANT通道还设置有两个电容C1，两个电容C1分别设置在所述TX-ANT通道上与ANT天线输入端口连接的一侧以及TX端口的一侧。