[发明专利]一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111156884.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113913764B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;李林华;郝亚非 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C03C17/245;C23C14/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 透明 导电 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括下述步骤：
1)清洗玻璃衬底：以普通玻璃为衬底，反复清洗干净后吹干；
2)TCO薄膜生长：采用反应射频磁控溅射法，在室温下生长碲与钪共掺杂的氧化铟TCO薄膜；溅射用靶材为铟靶、碲靶、钪靶，纯度均大于99.99％，溅射工作气体为氩气，反应气体为氧气，纯度均大于99.999％；溅射室的本底真空优于4×10-5Pa，靶材与样品之间距离为12～15cm；在TCO薄膜生长之前，溅射室只通入氩气，对三靶进行15-30分钟的预溅射，去除靶材表面吸附的杂质以及表面氧化物，当TCO薄膜开始生长时，氩气和氧气经过混气室充分混合以后进入溅射室，氩气与氧气的流量之比为50:1～20:1，溅射气压为0.1～0.4Pa；铟靶溅射功率200W，碲靶溅射功率为20～30W，钪靶溅射功率为1～2W；基底沉积温度为室温，溅射时间为10～20分钟；
3)退火处理：放入氢气氛围中在400～500℃温度下退火20～30分钟。
2.如权利要求1所述的方法所制备的高迁移率透明导电氧化物薄膜。
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