[发明专利]一种减小米勒电容的MOSFET制造方法

权利要求书

1.一种减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在衬底的表面生长外延层，并在外延层中形成沟槽，并在沟槽表面形成第一氧化层；

步骤S2：在第一氧化层表面生成氮化硅，并在氮化硅上淀积第一多晶硅，将沟槽内的第一多晶硅进行腐蚀，保留沟槽底部的部分第一多晶硅；

步骤S3：去除氮化硅及第一氧化层，使得氮化硅及第一氧化层的高度与第一多晶硅的高度相同；

步骤S4：在沟槽侧壁生成第二氧化层，第二氧化层延伸至第一氧化层一侧，在第一多晶硅的顶部同步生长第三氧化层；

步骤S5：在沟槽内淀积第二多晶硅，并腐蚀第二多晶硅，使得第二多晶硅的高度低于沟槽的高度。

2.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述沟槽的深度为1.0-3.0微米。

3.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述第一多晶硅为N型重掺杂的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：在上述步骤S2中，保留沟槽底部的部分第一多晶硅的厚度为0.3-0.6微米。

5.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度为30-300纳米，所述氮化硅的厚度为30-200纳米。

6.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：上述步骤S4中，所述第二氧化层及所述第三氧化层同时在同一个氧化工艺中同步生长成型；

该氧化工艺采用800-1100摄氏度的温度参数。

7.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述第二氧化层的厚度为15-80纳米，所述第三氧化层的厚度为30-240纳米。

8.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：MOSFET的类型与第二多晶硅的掺杂类型相同。

9.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于，上述步骤S5之后还包括：

步骤S6：在外延层中依次形成体区和源区；

所述体区在靠近沟槽底部的末端高于所述第二多晶硅在靠近沟槽底部的末端，两者在对应沟槽底部的末端相差0.1-0.3微米。

10.根据权利要求1所述的减小米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：步骤S2具体包括以下步骤：

步骤S21：在所述第一氧化层表面生成氮化硅；

步骤S22：采用高温退火的工艺方法对第一氧化层和氮化硅进行致密化处理，所述高温退火的温度超过850摄氏度；

步骤S23：在氮化硅上淀积第一多晶硅，将沟槽内的第一多晶硅进行腐蚀，保留沟槽底部的部分第一多晶硅。