[发明专利]一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、载体的预处理：选取碳化硅陶瓷片或者碳化硅陶瓷管作为载体，将载体经过无水乙醇超声震荡处理后，用去离子水清洗至中性，烘干；

S2、制备负载催化剂的碳化硅陶瓷片或者碳化硅陶瓷管：用浸渍涂覆方法将Ni(NO₃)₂溶液涂覆在经过预处理后的载体上，干燥后焙烧，得到负载氧化镍催化剂的碳化硅陶瓷片或者碳化硅陶瓷管；

S3、通气反应：将S2得到的碳化硅陶瓷片或者碳化硅陶瓷管置于石英反应管中，向石英反应管中依次通入氮气和氩气一段时间后，在载气条件下通入三氯甲基硅烷液体进行沉积反应，待反应完毕后，即可得到抗污染碳化硅陶瓷膜。

2.根据权利要求1所述一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于，S1中无水乙醇超声震荡处理时间为1h，烘干温度为100℃，烘干时间为2h。

3.根据权利要求1所述一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于，S2中Ni(NO₃)₂溶液为质量浓度为10～30％的溶液。

4.根据权利要求1所述一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法及其应用，其特征在于，S2中干燥处理的温度条件为80℃，时间条件为1h，焙烧处理的温度条件为300～400℃，时间条件为2h。

5.根据权利要求1所述一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法及其应用，其特征在于，S3中通气的具体操作为：向石英反应管中通入N₂和H₂，在400～600℃温度条件下反应1h后，升温至550～750℃，以H₂为载气，向石英反应管中通入三氯甲基硅烷液体进行沉积反应。

6.根据权利要求5所述一种抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法，其特征在于，S3中N₂、H₂的流量均为10～30ml/min，三氯甲基硅烷液体流量为0.1～3g/min，沉积反应的温度条件为850～1350℃，压力条件为10～1000Pa，沉积时间为0.5～6h。

7.如权利要求1-6任一项所述抗污染碳化硅陶瓷膜的制备方法得到的抗污染碳化硅陶瓷膜。

8.根据权利要求7所述抗污染碳化硅陶瓷膜，其特征在于，所述抗污染碳化硅陶瓷膜的膜厚2～8μm，膜孔径为10～100nm。

9.根据权利要求7或8所述抗污染碳化硅陶瓷膜在工业废水处理中的应用。