[发明专利]脉冲电镀法制备BiVO4 在审
| 申请号： | 202111157630.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113754024A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 唐一鸣;陈晓;廖雨欣 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/72;C02F101/30 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 雷月华 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 电镀 法制 bivo base sub | ||
1.一种脉冲电镀法制备BiVO4薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)以乙二醇为溶剂，配制KI和Bi(NO3)3的混合溶液；
(2)设置电镀仪器的参数，将预处理过的FTO导电玻璃浸入步骤(1)配制好的电解液中，插上电极，进行脉冲电镀，得到沉积了金属Bi的FTO导电玻璃；
(3)在步骤(2)脉冲电镀后的FTO导电玻璃表面滴加含乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液，然后放入马弗炉中煅烧；
(4)将步骤(3)煅烧后的FTO导电玻璃放入NaOH溶液中浸泡除去杂质制得BiVO4薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合溶液中KI的浓度为0.4mol/L，Bi(NO3)3的浓度为0.04mol/L；所述混合溶液的pH为1～2。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述脉冲电镀是在常温下进行；脉冲电镀参数为：高电平-0.6～+0.4V，低电平-2.0～-1.6V，周期1～2s，电镀总时长70～280s。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述脉冲电镀的参数为：高电平-0.2V，低电平-1.6V，周期1.4s，电镀总时长140s。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述煅烧温度为400～500℃，煅烧时间为1～2h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述煅烧是以2℃/min的速率升温至450℃煅烧2h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述NaOH溶液浓度为1～2mol/L。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述浸泡是将煅烧后的FTO导电玻璃放入2mol/L的NaOH溶液中浸泡至其表面黑色物质脱落。
9.一种由权利要求1-8任一项所述方法制得的BiVO4薄膜电极。
10.权利要求9所述BiVO4薄膜电极在降解抗生素中的应用。
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