[发明专利]一种AlGaInN发光二极管的接触结构

说明书

本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。

技术领域

本发明涉及发光二极管（LED）领域，尤其是涉及一种AlGaInN发光二极管的接触结构。

背景技术

大功率LED广泛应用于舞台装饰、投影以及其他特种照明领域。这些领域所需亮度高，器件尺寸往往在1 mm²以上，工作电流达到2A以上。如此大的电流，需要电流在器件内扩展均匀。

AlGaInN发光二极管已实现从紫外到黄绿光波段的产业化，其大功率LED器件制造，采用通孔技术。其原理如图1所示，p电极104直接蒸镀在p型AlGaInN 106上。再从p型AlGaInN 106刻孔至n型AlGaInN108，做好孔里的绝缘层103后，往孔中蒸镀金属，形成n电极102。此结构的优点是，p面和n面都有整面的金属帮助电流进行扩展；缺点是，n电极的制备，需要经过刻孔和绝缘钝化等步骤，工序复杂，成本较高。

传统线条电极方案中，扩展存在困难，如图2所示。为减少电流在扩展电极202上的输运电阻，扩展电极202要保证一定宽度。但如此条件下，扩展电极202和AlGaInN接触层203之间的接触面积较大，接触电阻较小，电流容易在刚流出焊盘201后，大部分就直接流入焊盘201附近的AlGaInN接触层203上，而无法均匀传导到扩展电极202远处，导致电流拥堵。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AlGaInN发光二极管的接触结构，以解决大功率LED目前制造存在的问题。

本发明的目的是这样实现的：

一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括：AGaInN接触层，第二接触层，以及位于AlGaInN接触层和第二接触层之间的第一接触层；其特征在于：第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层形成欧姆接触，第一接触层与AlGaInN接触层或第二接触层中的至少一个为肖特基接触或绝缘。

优选地，AlGaInN接触层为Al_xGa_yIn_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1。

优选地，所述第一接触层为绝缘体。

优选地，第一接触层为导体，与AlGaInN接触层形成肖特基接触。

优选地，第一接触层为半导体，第一接触层与AlGaInN接触层在组分上形成异质结，第一接触层与第二接触层形成肖特基接触。

优选地，第一接触层为半导体，第一接触层与AlGaInN接触层在掺杂上形成异质结，第一接触层与第二接触层形成肖特基接触。

优选地，第一接触层为反型半导体，第一接触层与AlGaInN接触层形成pn结。

本发明在保证第二接触层具有一定宽度的基础上，在第二接触层与AlGaInN接触层之间，插入第一接触层，既保证电流在第二接触层上输运，又通过改变第一接触层的面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。

附图说明

图1为现有AlGaInN通孔结构的大功率LED芯片结构示意图，图中：100为背电极，101为支撑基板，102为n电极，103为绝缘层，104为p电极，105为p电极焊盘，106为p型AlGaInN，107为有源层，108为n型AlGaInN；