[发明专利]一种片上原位微型银氯化银参比电极及其制备方法

权利要求书

1.一种片上原位微型银氯化银参比电极，其特征在于，包括：

硅基衬底；

第一层绝缘层，设置于所述硅基衬底上；

金属种子层，设置于所述第一层绝缘层上；

第二层绝缘层，设置于所述金属种子层上，所述金属种子层暴露在所述第二层绝缘层外；

银层，设置于暴露在所述第二层绝缘层外的所述金属种子层上；

氯化银层，设置于所述银层上方，经腐蚀所述银层表面得到。

2.根据权利要求1所述的一种片上原位微型银氯化银参比电极，其特征在于，使用刻蚀的方式刻蚀所述第二层绝缘层，使所述金属种子层暴露，保留导线在所述第二层绝缘层下。

3.根据权利要求1所述的一种片上原位微型银氯化银参比电极，其特征在于，所述银层，是在暴露所述金属种子层的上方使用电化学方法电镀得到。

4.根据权利要求1所述的一种片上原位微型银氯化银参比电极，其特征在于，还包括：保护层，所述保护层为位于整个参比电极表面的涂层，所述涂层材料为聚乙烯醇缩丁醛粉末和氯化钠粉末溶解在甲醇溶液中搅拌一天得到的胶质液滴，其中聚乙烯醇缩丁醛粉末和氯化钠粉末质量比为5:1。

5.根据权利要求1所述的一种片上原位微型银氯化银参比电极，其特征在于，所述设置绝缘层，厚度范围在200-2000nm。

6.根据权利要求1所述的一种片上原位微型银氯化银参比电极，其特征在于，所述的金属种子层，厚度范围在200-500nm。

7.一种权利要求1-6任一项所述的片上原位微型银氯化银参比电极的制备方法，其特征在于，包括：

在硅基衬底上生长第一层绝缘层，在所述第一层绝缘层上生长金属种子层，通过曝光显影得到金属种子层刻蚀掩膜；

在所述金属种子层上使用干法刻蚀的方法刻蚀多余的金属种子层，得到金属种子层参比电极点和相应的导线以及后端的焊盘图形；

在所述金属种子层图形上生长第二层绝缘层，在所述第二层绝缘层上曝光显影得到第二层绝缘层暴露电极点处的掩膜；使用刻蚀方法刻蚀第二层绝缘层，仅暴露出所述金属种子层；

在所述金属种子层上方，通过电化学电镀的方法，完成银层的生长；

在所述电镀银层上方，通过腐蚀的方法将表面银层氯化形成氯化银层，形成原位微型银氯化银参比电极。

8.根据权利要求7所述的片上原位微型银氯化银参比电极的制备方法，其特征在于，所述通过电化学电镀的方法，其中：将所述金属种子层参比电极设置为阴极，银片设置为阳极，在电镀液中完成银层的生长。

9.根据权利要求7所述的片上原位微型银氯化银参比电极的制备方法，其特征在于，在所述原位微型银氯化银参比电极上方，使用滴涂法形成保护层。

10.一种神经探针，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的原位微型银氯化银参比电极。