[发明专利]一种湿法刻蚀设备有效
申请号: | 202111158802.1 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN113889427B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 尹爀俊;欧阳春炜 | 申请(专利权)人: | 赛德半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 杭州泓呈祥专利代理事务所(普通合伙) 33350 | 代理人: | 王丰 |
地址: | 310000 浙江省杭州市钱*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 设备 | ||
本发明属于湿法蚀刻领域,尤其涉及一种湿法刻蚀设备,它包括蚀刻机构、浸板机构,其中被机械臂驱动的浸板机构带动均匀安装于其上的若干蚀刻基板在蚀刻机构中的蚀刻液内进行同步均匀蚀刻;气泵鼓出的气经柱套的引导多点均匀密布地将依然附着残留于基板上的蚀刻液吹离并在基板反射作用下经液槽内壁上四个吸气口处的引导斜面引导和吸气口及析液盒内的吸液棉的过滤循环至气泵,保证蚀刻液不会因其随气体流动而损失,有利于随气体流动的蚀刻液的回收利用,同时,保证蚀刻结束的基板上不会因残留的蚀刻液而出现基板蚀刻不均匀的现象。
技术领域
本发明属于湿法蚀刻领域,尤其涉及一种湿法刻蚀设备。
背景技术
湿法刻蚀是一种刻蚀方法,是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,主要在较为平整的膜面上刻出绒面,从而增加光程,减少光的反射,刻蚀可用稀释的盐酸等。
随着蚀刻基板的增大,通过湿法蚀刻工艺处理的基板蚀刻面的不均匀性越来越突出,其主要原因如下:
1、因目前的蚀刻是通过喷嘴将蚀刻液喷洒至基板上,导致基板不同区域的蚀刻液浓度、蚀刻起始时间及蚀刻液在基板表面分布的均匀性不同,从而导致蚀刻不均匀。
2、当基板蚀刻完毕后,因基板上残留的蚀刻液不能及时有效地的清理,也会导致基板上的蚀刻不均匀。
本发明设计一种湿法刻蚀设备解决如上问题。
发明内容
为解决现有技术中的所述缺陷,本发明公开一种湿法刻蚀设备,它是采用以下技术方案来实现的。
在本发明的描述中需要说明的是,术语“内”、“外”、“上”、“下”等指示方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系,或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或者位置关系,仅仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造或操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
一种湿法刻蚀设备,它包括蚀刻机构、浸板机构,其中被机械臂驱动的浸板机构带动均匀安装于其上的若干蚀刻基板在蚀刻机构中的蚀刻液内进行同步均匀蚀刻;蚀刻机构对蚀刻完毕的基板上残留的蚀刻液进行快速有效清理回收的同时在浸板机构的配合下对蚀刻液进行浓度均匀化扰动并使蚀刻液液面快速处于水平状态。
所述蚀刻机构包括液槽、导杆、滑套、弹簧A、拨板A、析液盒、气泵、方框A、栅格、柱套、滑塞、弹簧B、开关阀、弹簧C、弹簧D、阻尼器,其中上方开口且盛装有蚀刻液的方形液槽内竖直运动有方框A,液槽底部对称安装有四个对方框A复位的弹簧D;方框A中安装有均匀栅格,栅格的每个十字交汇处均具有上下贯通的柱套;每个柱套中均密封滑动配合有对其内壁上周向均匀分布的若干通气槽进行开关的滑塞,且柱套内安装有对相应滑塞复位的弹簧B;液槽内对称安装有四个促使方框A快速复位的单向阻尼器;液槽上端内壁对称分布有四个内部填充吸液棉的横条状吸气口,液槽外侧对称安装有四个通过导气套与吸气口一一对应连通且内部填充吸液棉的密封析液盒和四个与析液盒一一对应连通的气泵;每个气泵均通过安装有开关阀的软管与四分之一的柱套下端连通,开关阀固装于方框A侧壁;每个开关阀上均安装有对其开关拨板B复位的弹簧C;液槽内安装有四个与开关阀一一对应的竖直导杆,每个导杆上均滑动配合有滑套,滑套上具有与相应开关阀上拨板B配合的拨板A;每个导杆上均嵌套有对相应滑套复位的弹簧A。
作为本技术的进一步改进,所述方框A的上端外缘安装有板框A,板框A上均匀密布有减小方框A和栅格运动阻力的穿流孔;板框A上安装有通过与液槽内壁滑动配合对方框A和栅格运动形成导向作用的方框B;栅格的下端均匀安装有六个在基板蚀刻结束后对蚀刻液浓度均匀化扰动的扰动板;弹簧D可拉伸可压缩;弹簧D一端与相应位置的扰动板连接,另一端与液槽底部连接;阻尼器通过固定板B安装于液槽内的相应一角处,阻尼器下端与板框A配合。
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